[发明专利]脉冲系统验证

权利要求书

1.一种用于验证脉冲系统的方法，包括：

使用用于至少一个脉冲模式的轮廓传感器的测量来产生所述脉冲系统的至少一个脉冲发生器的脉冲的脉冲轮廓；

选择已知正确操作的脉冲发生器的脉冲的代表性脉冲轮廓，所述脉冲包括至少一个与所产生的脉冲轮廓相同的脉冲模式的脉冲；

限定量化度量，利用所述量化度量来识别所述所产生的脉冲轮廓与所选择的代表性脉冲轮廓的所述至少一个相同脉冲模式的脉冲之间的相似性和/或差异；

根据限定的量化度量，比较所述所产生的脉冲轮廓和所述所选择的代表性脉冲轮廓的相应脉冲；以及

基于所述所产生的脉冲轮廓和所述所选择的代表性脉冲轮廓的所述相应脉冲的所述比较来确定所述脉冲系统的所述至少一个脉冲发生器是否正确操作。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述脉冲轮廓由控制器产生，所述控制器从所述至少一个脉冲发生器的输出的所述轮廓传感器接收所述测量。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述控制器从所述控制器能存取的存储装置选择已知正确操作的脉冲发生器的代表性脉冲轮廓。

4.如权利要求1所述的方法，其中在所述至少一个脉冲发生器的可用脉冲频率设置或占空比设置中的至少一者的范围内，针对多个功率水平中的每一个产生相应的脉冲轮廓。

5.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

在其中等离子体被点燃的工艺腔室中使用光学传感器的测量来产生等离子体工艺的脉冲轮廓，所述工艺腔室包括所述脉冲系统的所述至少一个脉冲发生器的不同脉冲模式；

选择使用已知正确操作的脉冲系统所实施的等离子体工艺的代表性脉冲轮廓，所述代表性脉冲轮廓包括与所述等离子体工艺的所述所产生的脉冲轮廓相同的脉冲模式；

根据所述限定的量化度量，比较所述等离子体工艺的所述所产生的脉冲轮廓和所述等离子体工艺的所选择的代表性脉冲轮廓的相应脉冲；以及

基于所述等离子体工艺的所述所产生的脉冲轮廓与使用已知正确操作的所述脉冲系统所实施的所述等离子体工艺的所述所选择的代表性轮廓的所述相应脉冲的所述比较来确定所述脉冲系统是否正确操作。

6.如权利要求5所述的方法，进一步包括：

在所述等离子体工艺的所述所产生的脉冲轮廓和所述所选择的代表性脉冲的所述相应脉冲的所述比较之前，对所述等离子体工艺的所述所产生的脉冲轮廓或所述所选择的代表性脉冲轮廓的脉冲中的至少一者的脉冲进行反卷积。

7.一种用于验证脉冲系统的设备，包括：

轮廓传感器，所述轮廓传感器用于测量至少一个脉冲发生器；以及

控制器，所述控制器包括：存储器，所述存储器用于存储至少程序指令和数据；以及处理器，当所述处理器执行所述程序指令时，所述处理器将所述设备配置成：

针对至少一个脉冲模式，使用来自所述轮廓传感器的所述至少一个脉冲发生器的输出的测量来产生所述脉冲系统的至少一个脉冲发生器的脉冲的脉冲轮廓；

选择已知正确操作的脉冲发生器的脉冲的代表性脉冲轮廓，所述脉冲包括至少一个与所产生的脉冲轮廓相同的脉冲模式的脉冲；

限定量化度量，利用所述量化度量来识别所述所产生的脉冲轮廓和所选择的代表性脉冲轮廓的所述至少一个相同脉冲模式的脉冲之间的相似性和/或差异；

根据限定的量化度量来比较所述所产生的脉冲轮廓和所述所选择的代表性脉冲轮廓的相应脉冲；以及

基于所述所产生的脉冲轮廓和所述所选择的代表性脉冲轮廓的相应脉冲的所述比较，确定所述脉冲系统的所述至少一个脉冲发生器是否正确操作。

8.如权利要求7所述的设备，其中已知正确操作的所述脉冲发生器的代表性脉冲轮廓存储在所述设备的所述存储器中。

9.如权利要求7所述的设备，其中所述控制器针对所述至少一个脉冲发生器的脉冲功率、脉冲频率和占空比中的一者或多者产生相应的脉冲轮廓。