[发明专利]具有用于高色纯度显示屏的发光波长及小的半值宽度的红色发光量子点及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201980023294.0 申请日: 2019-03-26
公开(公告)号: CN111971367B 公开(公告)日: 2023-04-14
发明(设计)人: 李钟洙;R·帕提班 申请(专利权)人: 大邱庆北科学技术院
主分类号: C09K11/88 分类号: C09K11/88;C09K11/56;C09K11/62;B82Y20/00;B82Y40/00
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 钟海胜;金鲜英
地址: 韩国大邱市达城*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 用于 纯度 显示屏 发光 波长 宽度 红色 量子 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种量子点的制备方法,其特征在于,

包括:

准备包含InX类量子点种子的混合物的步骤;

向所述混合物连续注入Zn(In)X类团簇形成InX类核的步骤;

向所述混合物放入硒化合物及锌前体,形成涂敷于所述InX类核的第一壳的步骤;以及

向所述混合物放入硫化合物及所述锌前体,形成涂敷于所述第一壳的第二壳的步骤,

其中,所述InX类核包括核中的In、Zn和P以及所述核的表面的Zn层;

所述第一壳由ZnSe形成,所述第二壳由ZnS形成,所述X包含磷。

2.根据权利要求1所述的量子点的制备方法,其特征在于,所述InX类量子点种子通过混合铟前体、酸以及三甲基硅烷基前体形成InX纳米粒子。

3. 根据权利要求1所述的量子点的制备方法,其特征在于,所述 Zn(In)X类团簇通过混合铟前体、酸、锌前体以及三甲基硅烷基前体形成使In以及Zn结晶结合的超结晶状态的集合体。

4.根据权利要求2或3所述的量子点的制备方法,其特征在于,所述铟前体包含醋酸铟、乙酰丙酮铟、InSb或InAs。

5.根据权利要求2或3所述的量子点的制备方法,其特征在于,所述酸是羧酸配体。

6.根据权利要求5所述的量子点的制备方法,其特征在于,所述羧酸配体包含软脂酸、硬脂酸、肉豆蔻酸或油酸。

7.根据权利要求2或3所述的量子点的制备方法,其特征在于,所述三甲基硅烷基前体包含三(三甲基硅烷基)膦。

8.根据权利要求1所述的量子点的制备方法,其特征在于,所述InX类量子点种子包含InP。

9. 根据权利要求1所述的量子点的制备方法,其特征在于,所述 Zn(In)X类团簇以0.05mmol/h至0.3mmol/h的速度在200℃以上的温度下连续注入。

10.根据权利要求1所述的量子点的制备方法,其特征在于,所述核的大小为1.9nm至4.5nm。

11.根据权利要求1所述的量子点的制备方法,其特征在于,所述核的大小为3.5nm至4.5nm。

12.根据权利要求1所述的量子点的制备方法,其特征在于,所述硒化合物包含三正辛基膦硒。

13.根据权利要求1所述的量子点的制备方法,其特征在于,所述锌前体包含选自醋酸锌、乙酰丙酮锌、硬脂酸锌以及油酸锌中的一种以上。

14.根据权利要求1所述的量子点的制备方法,其特征在于,所述硫化合物包含十二硫醇。

15.根据权利要求1所述的量子点的制备方法,其特征在于,所述第一壳及所述第二壳通过执行连续离子层吸附反应法形成。

16.根据权利要求15所述的量子点的制备方法,其特征在于,所述连续离子层吸附反应法在200℃至400℃的温度下进行。

17.根据权利要求1所述的量子点的制备方法,其特征在于,所述量子点的大小为1.9nm至6nm。

18.根据权利要求1所述的量子点的制备方法,其特征在于,所述量子点的大小为3.7nm至6nm。

19.根据权利要求1所述的量子点的制备方法,其特征在于,所述量子点在380nm至750nm发光波长内发光。

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