[发明专利]少数层α-锗晶体、其制备过程及其用途

权利要求书

1.具有片状形态的α-锗晶体，其中所述晶体包含一个或多个彼此堆叠的α-锗纳米片材，并且其中所述晶体展现出包括在0.56nm和100nm之间的厚度和包括在0.1μm×0.1μm和10μm×10μm之间的侧向尺寸。

2.根据权利要求1所述的α-锗晶体，其展现出包括在0.1μm×0.1μm和5μm×5μm之间的侧向尺寸。

3.根据权利要求1或2中任一项所述的α-锗晶体，其中所述晶体包含2至150个彼此堆叠的α-锗纳米片材。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的α-锗晶体，其中所述晶体的厚度包括在2和20nm之间。

5.制备如权利要求1至4中任一项所限定的α-锗晶体的方法，其中所述方法包括在以下的存在下，以包括在1000和3000rpm之间的旋转速度研磨多晶α-锗：

-至少一种醇，其中所述醇是直链、支链、或环链醇，并且具有包括在3和5个原子之间的碳数；或

-包含至少一种醇和水的混合物，其中所述混合物中的所述醇是直链、支链、或环链醇，并且具有包括在3和5个原子之间的碳数，并且其中所述混合物中所述醇的含量包括在按体积计60％和99％之间。

6.根据权利要求5所述的方法，其进一步包括将获得的α-锗晶体分散在水、有机溶剂中、或分散在水和有机溶剂的混合物中，并对所述分散体进行离心。

7.制备如权利要求1至4中任一项所限定的α-锗晶体的方法，所述方法包括：

a)在以下中制备多晶α-锗的分散体：

-至少一种醇，其中所述醇是直链、支链、或环链醇，并且具有包括在3和5个原子之间的碳数；或

-包含至少一种醇和水的混合物，其中所述混合物中的所述醇是直链、支链、或环链醇，并且具有包括在3和5个原子之间的碳数，并且其中所述混合物中所述醇的含量包括在按体积计60％和99％之间，

b)对a)中获得的分散体进行超声处理和离心，其中离心速度包括在500rpm和3000rpm之间，和

c)分离上清液以获得如权利要求1至4中所限定的α-锗晶体。

8.根据权利要求5至7中任一项所述的方法，所述方法进一步包括真空干燥所获得的α-锗晶体的步骤。

9.根据权利要求5至8中任一项所述的方法，其中所述醇选自异丙醇、2-丙醇、正丁醇、正戊醇、及其混合物。

10.根据权利要求5至9中任一项所述的方法，其中醇和水的所述混合物中的醇含量为按体积计80％。

11.粉末，其包含如权利要求1至4中任一项所限定的α-锗晶体。

12.电子设备，其包含如权利要求1至4中任一项所限定的α-锗晶体或根据权利要求11所述的粉末。

13.分散体，其包含分散在水、有机溶剂中、或分散在水和有机溶剂的混合物中的如权利要求1至4中任一项所限定的α-锗晶体或如权利要求11所限定的粉末。

14.油墨，其包含如权利要求13所限定的分散体。

15.施加如权利要求13所限定的分散体或施加如权利要求14所限定的油墨的方法，所述方法包括通过丝网印刷、滴涂、喷涂、或旋涂来施加所述分散体或施加所述油墨。