[发明专利]探针台在审
申请号: | 201980023465.X | 申请日: | 2019-03-25 |
公开(公告)号: | CN112005352A | 公开(公告)日: | 2020-11-27 |
发明(设计)人: | 安田胜男;有贺卫 | 申请(专利权)人: | 日本麦可罗尼克斯股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01R1/073;G01R31/26;G01R31/28 |
代理公司: | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人: | 汤国华 |
地址: | 日本国东京都武藏*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 探针 | ||
本发明的课题在于,提供一种能够降低来自卡盘载物台的电流泄漏、外来噪声的影响,进而消除卡盘载物台的对探针台框体杂散电容,保持晶圆状态地精度良好地进行半导体器件的检查的探针台,通过提供如下这样的探针台来解决上述课题:探针台具有:上表面开口的卡盘罩导电体,其具有底部导体和侧部导体,能够在由底部导体和侧部导体围成的空间内收容所述卡盘载物台;上部罩导电体,其具有正面电极用探针以及背面电极用探针的支承导电部能够通过的贯通孔,且在检查时,在正面电极用探针的接触部在检查对象晶圆内相对地移动时,在俯视的情况下,也至少具有遮盖卡盘罩导电体的所述开口的大小;以及使卡盘罩导电体与上部罩导电体接触并电导通的单元。
技术领域
本发明涉及一种探针台,详细而言,涉及在保持晶圆状态地检查在晶圆基板的两面具有电极的半导体器件的电气特性时使用的探针台。
背景技术
作为功率晶体管、功率MOSFET、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)等电力用半导体器件、LED、半导体激光器等半导体器件,有如下半导体器件,其构成为电流在芯片的上下流过,在晶圆基板的正背两面具有电极。因此,为了保持晶圆状态地检查这样的半导体器件的电气特性,需要能够构建与晶圆的正背两面电连接的关系的结构,为了使测定用探针与作为被检查对象的半导体器件的正面接触,且还使电极与半导体器件的背面接触,提出了各种探针台。
作为能够构建与晶圆的正背两面电连接的关系的结构,例如考虑在晶圆的正面侧设置与半导体器件的各个正面电极接触的探针,在晶圆的背面侧,至少上表面配置导电性的卡盘载物台,在检查时,在该卡盘载物台上载置检查对象晶圆,从而将卡盘载物台的整个上表面用作与形成于晶圆的整个半导体器件的背面电极接触的电极。
但是,在采用这样的结构的情况下,为了依次检查形成于晶圆上的整个半导体器件,需要使卡盘载物台相对于配置于上部的探针而移动,不可避免地,将卡盘载物台与测定装置进行连接的缆线的长度必然变长。若将用作与晶圆背面接触的电极的卡盘载物台与测定装置连接的缆线的长度变长,则由缆线构成的测定路径的寄生电感变大,存在无法得到与作为检查对象的半导体器件的实际值接近的大电流测定、动态特性试验所需的瞬态特性这样的缺点。因此,即使是通过了晶圆状态下的检查的半导体器件,之后在经过键合、模制、预烧工序等之后进行的最终的全规格检查中,有时也会发现特性不良的情况,在晶圆状态下的检查后进行的各种工序被浪费,招致产品成本的上升、废弃物量的增加这样的不好的情况。
另一方面,在专利文献1、2中,公开了一种探针台,其中,在导电性比半导体器件大的基台上载置半导体器件,使正面电极用的探针与半导体器件的正面接触,同时使背面电极用的探针与未载置所述半导体器件的所述基台的露出部分接触。但是,这些专利文献1、2所公开的探针台为检查单独地存在的半导体器件的探针台,并不是保持晶圆状态地检查半导体器件的探针台,关于如何保持晶圆状态地精度良好地测定在正背两面具有电极的半导体器件的特性,并未提供任何启示。
鉴于如上所述的状况,本申请人在专利文献3中提出了一种探针台作为保持晶圆状态地检查半导体器件的装置,其配置在卡盘载物台的上表面保持作为检查对象的晶圆的晶圆保持部、以及大小与晶圆保持部大致相同的探针接触区域,使所述晶圆保持部与所述探针接触区域电导通,且将正面电极用探针和背面电极用探针在水平方向上隔开一定的距离地配置于所述卡盘载物台的上方。
根据该探针台,在使所述卡盘载物台移动而正面电极用探针在检查对象晶圆内相对移动时,背面电极用探针也能够在与正面电极用探针维持所述一定的距离的状态下在所述探针接触区域内相对地移动,所以能够得到如下极其优良的优点:能够将测定装置与正面电极用探针以及背面电极用探针的电连接路径的长度始终维持成一定的最短长度,能够使测定路径上产生的寄生电感最小,而得到与半导体器件的实际值接近的大电流测定、动态特性试验所需的瞬态特性。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2007-40926号公报
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