[发明专利]氧化硅粉末的制造方法及负极材料在审
| 申请号： | 201980023536.6 | 申请日： | 2019-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN111936422A | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 柏谷悠介 | 申请（专利权）人： | 株式会社大阪钛技术 |
| 主分类号： | C01B33/32 | 分类号： | C01B33/32;C01B33/113;H01M4/36;H01M4/485;H01M4/58 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 刁兴利;康泉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化 粉末 制造 方法 负极 材料 | ||
1.一种氧化硅粉末的制造方法，其中，
通过对包含Si、Li和O的原料进行减压加热，使SiO气体与Li气体同时产生，
通过将产生的气体进行冷却，制作平均组成由SiLixOy表示且满足0.05xy和0.5y1.5的含Li氧化硅，
在粒度调整后以900℃以下的处理温度，在粒子表面形成平均膜厚0.5～10nm的C涂覆膜。
2.根据权利要求1所述的氧化硅粉末的制造方法，其中，所述包含Si、Li和O的原料是该原料中Si的一部分作为Si单质而存在、Li作为硅酸锂而存在的含有Si和硅酸锂的原料。
3.根据权利要求1或2所述的氧化硅粉末的制造方法，其特征在于，所述处理温度为700℃以下。
4.一种负极材料，其中，其为平均组成由SiLixOy表示的粉末，所述粉末满足0.05xy、0.5y1.5及平均粒径1μm以上，
并且在进行该粉末粒子的截面TEM观察时，抽出10个短径为1μm以上的粒子，在各个粒子中，测量从最表面到深度50nm的位置处的Li浓度L1与从最表面到深度400nm的位置处的Li浓度L2，此时在任何粒子中，L1/L2均满足0.8L1/L21.2，且L2的变动系数在0.25以下，
在粒子表面进一步具有平均膜厚为0.5～10nm的C涂覆膜，在XRD测量中不存在SiC峰。
5.根据权利要求4所述的负极材料，其中，在XRD测量中不存在Si峰。
6.一种锂离子二次电池，其中，在负极中含有权利要求4或5所述的负极材料作为负极活性物质。
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