[发明专利]用于氮化物基发光器件中的空穴注入的异质隧穿结

权利要求书

1.一种发光器件，包含：

异质结，其包含：

空穴注入层，所述空穴注入层包含单晶或多晶n型掺杂的半导体材料，其中所述单晶或多晶n型掺杂的半导体材料不是III族氮化物半导体材料；和

包含p型掺杂的III族氮化物的p型层；

n型接触部；和

活性区，其包含设置在p型层和n型接触部之间的本征半导体材料，所述活性区包含多量子阱结构，所述多量子阱结构包含交替的III-V族氮化物势垒层和III-V族氮化物量子阱层。

2.根据权利要求1所述的器件，还包含设置在所述空穴注入层与所述p型层之间的量子隧道层，所述量子隧道层包含无机材料，该无机材料的带隙比所述n型掺杂的半导体材料和p型掺杂的III族氮化物的带隙更宽，其中量子隧道层与空穴注入层之间的界面以及量子隧道层与p型层之间的界面不具有外延结构。

3.根据权利要求2所述的器件，其中所述无机材料是氧化物，该氧化物不是所述n型掺杂的半导体材料的自然氧化物或所述p型III族氮化物的自然氧化物。

4.根据权利要求3所述的器件，其中所述无机材料是氧化铝或氧化铪。

5.根据权利要求1所述的器件，其中所述p型III族氮化物是p型GaN。

6.根据权利要求5所述的器件，其中所述n型掺杂的半导体材料包括n型掺杂的IV族半导体。

7.根据权利要求6所述的器件，其中所述n型掺杂的IV族半导体是n型掺杂的硅。

8.根据权利要求7所述的器件，其进一步包含设置在所述空穴注入层与所述p型层之间的量子隧道层，所述量子隧道层包含无机材料，该无机材料的带隙比所述n型掺杂的硅和p型掺杂的GaN的带隙更宽，其中量子隧道层与空穴注入层之间的界面以及量子隧道层与p型层之间的界面不具有外延结构。

9.根据权利要求8所述的器件，其中所述无机材料是氧化铝。

10.根据权利要求8所述的器件，其中所述无机材料是氧化铪。

11.根据权利要求1所述的器件，其中所述n型掺杂的半导体材料包含n型掺杂的IV族半导体。

12.根据权利要求11所述的器件，其中所述n型掺杂的IV族半导体是n型掺杂的硅。

13.根据权利要求12所述的器件，其中所述硅是单晶硅。

14.根据权利要求12所述的器件，其中所述硅是多晶硅。

15.根据权利要求12所述的器件，其中所述III-V族氮化物势垒层包含AlN，并且所述III-V族氮化物量子阱层包含AlGaN。

16.根据权利要求12所述的器件，其中所述III-V族氮化物势垒层包含GaN，并且所述III-V族氮化物量子阱层包含InGaN。

17.根据权利要求1所述的器件，其中所述n型IV族半导体是n型锗。