[发明专利]绝缘覆盖线的结合方法、连接构造、绝缘覆盖线的剥离方法以及接合装置在审
申请号: | 201980023612.3 | 申请日: | 2019-11-07 |
公开(公告)号: | CN112055889A | 公开(公告)日: | 2020-12-08 |
发明(设计)人: | 久岛真美;间岛奖;杉藤哲郎 | 申请(专利权)人: | 株式会社海上 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 柯瑞京 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 绝缘 覆盖 结合 方法 连接 构造 剥离 以及 接合 装置 | ||
提供一种能将绝缘覆盖线的金属线与电极稳定地进行结合的绝缘覆盖线的结合方法。本发明的一方式的绝缘覆盖线的结合方法,为通过金属线被有机物覆盖的绝缘覆盖线(11)使第一电极(12)和第二电极导通的绝缘覆盖线的结合方法,具备:将所述绝缘覆盖线(11)载置于第一电极(12)上的工序(a);使金属线从所述绝缘覆盖线露出的工序(b);和通过形成遍及已露出的所述金属线以及所述第一电极的第一凸块,从而将所述金属线与所述第一电极电连接的工序(c)。
技术领域
本发明涉及绝缘覆盖线的结合方法、连接构造、绝缘覆盖线的剥离方法以及接合装置。
背景技术
通常,线接合由金属的裸线进行,但在高密度布线中的短路防止、医疗领域中与人体直接接触的器件的布线等中,采用由有机物绝缘覆盖的金属线即绝缘覆盖线。
作为在医疗器具的领域中使用的电子部件例如有体内埋入型传感器、体内埋入型BMI(brain-machine interface,脑机接口)装置等。在如该传感器那样与人体直接接触的产品的情况下,如果想要将线材与传感器的电极结合,则需要使用由绝缘被膜覆盖了线材的绝缘覆盖线以使得金属制的线材不对人体带来影响。但是,由于存在覆盖而需要自剥离绝缘覆盖线的前端的覆盖起进行绝缘覆盖线与传感器的电极的结合,其结合变难。
在对医疗器具的领域以外的半导体领域的产品(器件)的电极的布线中,也需要以高品质、高生产性接合绝缘覆盖线。如果想要将绝缘覆盖线的前端与该器件的电极相结合,则需要与医疗器具领域同样地自剥离覆盖起进行结合。
如上述那样自剥离覆盖起进行结合的理由如下那样。其原因在于,如果不剥离绝缘覆盖线的前端的覆盖而将绝缘覆盖线的前端与电极相结合,则电极与绝缘覆盖线的结合强度变弱,并发生不能充分取得电气的导通等的产品不合格,有时欠缺作为产品的稳定性。
因而,以往采用了自预先剥离绝缘覆盖线的前端的覆盖起与电极相结合的方法。例如半导体领域中,如图17所示那样,通过对绝缘覆盖线101的前端照射激光,并使绝缘覆盖线101的前端与加热器相接触而熔化覆盖,从而使其中的芯线(金属线)101a露出,将该芯线101a与电极102相结合。
例如,将器件设置于加热板上,有时进行基于加热的超声波热压接。通过对器件进行加热,从而使由接合工具加压的绝缘覆盖线的绝缘覆盖流动化而从结合面除去。进而,通过同时采用加热所引起的超声波热压接缩短结合品质和时间。
但是,如果进行加热直到绝缘覆盖进行流动化为止(数百度以上),则在对多个绝缘覆盖线进行接合时,先进行了接合的绝缘覆盖线被继续加热而覆盖熔化。此外,如果加热器温度过低,则不能充分除去绝缘覆盖,产生结合不合格。此外,不能对耐热弱的器件充分进行加热,高热容量的器件中,加热和冷却耗费时间,生产性显著降低。
上述的方法确保结合强度,另一方面需要对进行结合的装置搭载除去覆盖专用的激光器、加热器(例如,参照专利文献1)。通过搭载有这些功能而装置本身变大,装置成本也增加。此外,也有由加热器的热量除去覆盖的材质变得困难这样的情况。此外,也会担心由于添加用于除去覆盖的热的工序所引起的绝缘覆盖线的损坏。
此外,如果与电极的结合部以外的部分的绝缘覆盖线的覆盖剥离,则绝缘状态难以维持,因而需要稳定地剥离绝缘覆盖线的前端的覆盖的高难度的技术。此外,有时不剥离与电极的结合部以外的部分的绝缘覆盖线的覆盖并且可靠地将电极与金属线进行电结合变得困难。
此外,前述的医疗器具的领域中,多数情况下采用人的手进行剥离绝缘覆盖线的前端的覆盖的作业、绝缘覆盖线的前端与电极的结合作业。因此,存在生产性显著变差,使产品小型化也困难这样的课题。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2011-28923号公报
发明内容
发明要解决的课题
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造