[发明专利]磁阻堆叠及其方法

权利要求书

1.一种磁阻设备，包括：

隧道势垒区域；

位于隧道势垒区域的一侧上的磁固定区域；以及

位于隧道势垒区域的相对的一侧上的磁自由区域，其中磁自由区域包括多个铁磁区域和至少一个非磁性插入区域，并且其中所述多个铁磁区域中的至少一个铁磁区域包括多层结构，该多层结构包括：

钴的第一层；以及

包括铂或钯中的至少一种的第二层。

2.如权利要求1所述的磁阻设备，其中插入区域包括钽、钨、钼、钌、铑、铼、铱、铬、铪、锆或锇中的至少一种。

3.如权利要求1所述的磁阻设备，其中多层结构中的每一层包括大约之间的厚度。

4.如权利要求1所述的磁阻设备，其中所述多个铁磁区域中的至少一个铁磁区域包括钴、铁和硼的合金。

5.如权利要求1所述的磁阻设备，其中所述多个铁磁区域中的至少一个铁磁区域包括钴、铁和硼的合金，以及

其中所述至少一个铁磁区域在所述至少一个铁磁区域和隧道势垒区域的界面处包括富铁区域。

6.如权利要求1所述的磁阻设备，其中所述多个铁磁区域中的至少一个铁磁区域包括无硼铁磁层和含硼铁磁层的相邻定位的区域。

7.如权利要求1所述的磁阻设备，其中所述隧道势垒区域是第一隧道势垒区域，并且所述磁固定区域是第一磁固定区域，并且其中所述磁阻设备还包括：

第二隧道势垒区域，位于磁自由区域的与第一隧道势垒区域相对的一侧上；以及

第二磁固定区域，位于第二隧道势垒区域的与磁自由区域相对的一侧上。

8.如权利要求1所述的磁阻设备，其中多层结构包括被一层铂或钯分开的至少两层钴。

9.如权利要求1所述的磁阻设备，其中多层结构包括至少五层钴。

10.如权利要求1所述的磁阻设备，其中隧道势垒区域包括氧化镁和氧化铝中的一种。

11.一种制造磁阻设备的方法，包括：

形成磁固定区域；

在磁固定区域的一侧上形成隧道势垒区域；

在隧道势垒区域的相对的一侧上形成磁自由区域，其中形成磁自由区域包括：形成被非磁性插入区域分开的多个铁磁区域，并且其中形成所述多个铁磁区域中的至少一个铁磁区域包括：形成与铂或钯的第一层相邻的钴的第一层。

12.如权利要求11所述的方法，其中钴的第一层或铂或钯的第一层包括大约之间的厚度。

13.如权利要求11所述的方法，其中插入区域包括钽、钨、钼、钌、铑、铼、铱、铬或锇中的至少一种。

14.如权利要求11所述的方法，其中形成所述多个铁磁区域包括：形成所述多个铁磁区域中的至少一个铁磁区域以便包括钴、铁和硼的合金。

15.如权利要求11所述的方法，其中形成所述多个铁磁区域包括：形成所述多个铁磁区域中的至少一个铁磁区域以便包括钴、铁和硼的合金，以及

其中形成所述至少一个铁磁区域包括：在所述至少一个铁磁区域和隧道势垒区域的界面处形成富铁层。

16.如权利要求11所述的方法，其中所述隧道势垒区域是第一隧道势垒区域，并且所述磁固定区域是第一磁固定区域，并且其中该方法还包括：

在磁自由区域的与第一隧道势垒区域相对的一侧上形成第二隧道势垒区域；以及

在第二隧道势垒区域的与磁自由区域相对的一侧上形成第二磁固定区域。