[发明专利]发光纳米颗粒和含有其的发光太阳能集中器有效
申请号: | 201980023804.4 | 申请日: | 2019-04-04 |
公开(公告)号: | CN112074586B | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
发明(设计)人: | 陈致匡;H·魏加亚;车瑞琦 | 申请(专利权)人: | 新加坡国立大学 |
主分类号: | C09K11/74 | 分类号: | C09K11/74;C09K11/70;H01L31/055 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 纳米 颗粒 含有 太阳能 集中器 | ||
1.一种发光纳米颗粒,其包含:
In1-xZnxAs;和
In1-yZnyP,其中:
x为0至0.5;
y为0至0.6;
In1-xZnxAs与In1-yZnyP的摩尔比为1:50至1:5000;和
所述纳米颗粒为包含In1-xZnxAs核和包围In1-xZnxAs核的In1-yZnyP壳层的核-壳纳米颗粒。
2.根据权利要求1所述的纳米颗粒,其中x为0和/或y为0。
3.根据权利要求1所述的纳米颗粒,其中所述纳米颗粒进一步包含ZnSeS、ZnSe、和ZnS中的一种或多种。
4.根据权利要求3所述的纳米颗粒,其中In与Zn的摩尔比为0.1~1~10:1。
5.根据权利要求1所述的纳米颗粒,其中所述纳米颗粒包含:
(a)InAs和InP;
(b)InAs、InP和ZnSe;
(c)InAs、InP和ZnS;
(d)InAs、InP、ZnSe和ZnS;和
(e)In1-xZnxAs、In1-yZnyP和ZnSeS,其中x为0.02至0.33和y为0.02至0.5。
6.根据权利要求1所述的纳米颗粒,其中所述纳米颗粒具有光致发光峰和吸收边,其中所述光致发光峰从所述吸收边红移开50至250nm。
7.根据权利要求6所述的纳米颗粒,其中所述光致发光峰为700至1100nm。
8.根据权利要求6所述的纳米颗粒,其中所述吸收边为600至1000nm。
9.根据权利要求1所述的纳米颗粒,其中:
所述In1-xZnxAs核的直径为10至
10.根据权利要求1所述的纳米颗粒,其中:
所述纳米颗粒的直径为2至100nm;和/或
x为0;和/或
y为0。
11.根据权利要求1所述的纳米颗粒,其中所述纳米颗粒进一步包含选自ZnSeS、ZnSe、和ZnS中的一种或多种壳。
12.根据权利要求1所述的纳米颗粒,其中所述纳米颗粒的结构为:
(a)InAs/InP;
(b)InAs/InP/ZnSe;
(c)InAs/InP/ZnS;
(d)InAs/InP/ZnSe/ZnS;和
(e)In1-xZnxAs/In1-yZnyP/ZnSeS,其中x为0.02至0.33和y为0.02至0.5。
13.根据权利要求1所述的纳米颗粒,其中:
在所述In1-xZnxAs核中,In1-xZnx与As的摩尔比为5:1至1:1;和/或
在所述In1-yZnyP壳层中,In1-yZny与As的摩尔比为5:1至1:1。
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