[发明专利]有机EL显示元件用密封剂在审
申请号: | 201980023814.8 | 申请日: | 2019-03-25 |
公开(公告)号: | CN112074957A | 公开(公告)日: | 2020-12-11 |
发明(设计)人: | 山本拓也;七里德重;西出胜则;金千鹤;笹野美香 | 申请(专利权)人: | 积水化学工业株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;C08L63/00;C08L71/00;G09F9/30;H01L51/50;H05B33/04 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王永红 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 el 显示 元件 密封剂 | ||
本发明的目的在于,提供喷墨涂布性、低释气性、和对基板、无机材料膜的密合性优异、且可以得到可靠性优异的有机EL显示元件的有机EL显示元件用密封剂。本发明为一种有机EL显示元件用密封剂,其含有固化性树脂和聚合引发剂,上述固化性树脂含有下述式(1)所表示的化合物和下述式(2)所表示的化合物,下述式(1)所表示的化合物的含量相对于下述式(2)所表示的化合物的含量以重量比计为1.0倍以上且1.5倍以下,25℃时的有机EL显示元件用密封剂整体的粘度为40mPa·s以下,25℃时的有机EL显示元件用密封剂整体的表面张力为15mN/m以上且35mN/m以下。式(1)中,R1各自独立地为键合键、直链状或支链状的碳数1以上且18以下的亚烷基、或者、直链状或支链状的碳数2以上且18以下的亚烯基,R2为直链状或支链状的碳数1以上且18以下的亚烷基、或者、直链状或支链状的碳数2以上且18以下的亚烯基,n为0或1。
技术领域
本发明涉及喷墨涂布性、低释气性、和对基板、无机材料膜的密合性优异、且可以得到可靠性优异的有机EL显示元件的有机EL显示元件用密封剂。
背景技术
有机电致发光(以下也称为“有机EL”)显示元件具有在互相相向的一对电极间夹持了有机发光材料层的层叠体结构,通过从一个电极向该有机发光材料层注入电子,并从另一个电极向该有机发光材料层注入空穴,从而电子与空穴在有机发光材料层内进行结合而发光。像这样,有机EL显示元件进行自发光,因此与需要背光的液晶显示元件等相比具有视觉辨认性好、能够薄型化、且能够直流低压驱动的优点。
构成有机EL显示元件的有机发光材料层、电极存在容易因水分、氧等而导致特性劣化的问题。因此,为了得到实用的有机EL显示元件,需要将有机发光材料层、电极与大气阻断而谋求长寿命化。专利文献1中公开了利用通过CVD法形成的氮化硅膜与树脂膜的层叠膜来密封有机EL显示元件的有机发光材料层和电极的方法。其中,树脂膜具有防止因氮化硅膜的内部应力而导致的对有机层、电极的压迫的作用。
作为形成树脂膜的方法,有使用喷墨法在基材上涂布密封剂后、使该密封剂固化的方法。如果使用这样的基于喷墨法的涂布方法,则可以高速且均匀地形成树脂膜。然而,为了适于基于喷墨法的涂布而要使密封剂成为低粘度的情况下,存在产生释气(日文:アウトガス)、或者得到的有机EL显示元件的可靠性变差等问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2000-223264号公报
专利文献2:日本特表2005-522891号公报
专利文献3:日本特开2001-307873号公报
专利文献4:日本特开2008-149710号公报
发明内容
发明要解决的课题
就专利文献1所公开的用氮化硅膜进行密封的方法而言,由于有机EL显示元件的表面的凹凸、异物的附着、因内部应力而导致的裂纹的产生等,有时在形成氮化硅膜时无法将有机发光材料层、电极完全包覆(日文:被覆)。当利用氮化硅膜的包覆不完全时,水分会通过氮化硅膜而浸入到有机发光材料层内。
作为防止水分向有机发光材料层内的浸入的方法,专利文献2中公开了交替蒸镀无机材料膜与树脂膜的方法,专利文献3、专利文献4中公开了在无机材料膜上形成树脂膜的方法。
作为形成树脂膜的方法,有使用喷墨法在基材上涂布密封剂后、使该密封剂固化的方法。如果使用这样的基于喷墨法的涂布方法,则可以高速且均匀地形成树脂膜。然而,为了适于基于喷墨法的涂布而要使密封剂成为低粘度的情况下,存在产生释气、或者得到的有机EL显示元件的可靠性变差等问题。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的