[发明专利]光束的空间调制在审
申请号: | 201980024259.0 | 申请日: | 2019-03-20 |
公开(公告)号: | CN111955058A | 公开(公告)日: | 2020-11-17 |
发明(设计)人: | K·W·张;M·A·珀维斯;C·A·斯廷森 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | H05G2/00 | 分类号: | H05G2/00 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 郑振 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 光束 空间 调制 | ||
一种系统包括空间调制设备,其被配置为与光束相互作用以创建经修改光束,该经修改光束包括沿垂直于该经修改光束的传播方向的方向具有非均一强度的光的空间图案,该光的空间图案包括一个或多个光分量;和目标供应系统,其被配置为向目标区域提供目标,该目标包括目标材料,所述目标材料在处于等离子体状态时发射EUV光。该目标区域与束路径重叠,使得该经修改束中的一个或多个光分量中的至少一些光分量与该目标的一部分进行相互作用。
本申请要求于2018年04月03日提交的美国申请62/651,928的优先权,并且其全文通过引用而结合于此。
技术领域
本公开涉及用于对光束进行空间调制的技术。该技术例如可以在极紫外(EUV)光源中使用。该光束例如可以是照射目标材料或燃料材料的光束。
背景技术
极紫外(EUV)光——例如是具有100纳米(nm)或更短波长的电磁辐射(有时也被称作软x射线),并且包括处于例如20nm或更短、5nm和20nm之间、或者13nm和14nm之间波长的光——可以在光刻过程中被用来通过在抗蚀剂层中发起聚合而在例如硅晶片的衬底中产生极小型的特征。
用来产生EUV光的方法包括但并不一定限于将目标材料转换为发射EUV光的等离子体。该目标材料包括具有EUV范围中的发射谱线的元素,例如氙、锂或锡。在一种经常被称作激光等离子体(LPP)的这样的方法中,可以通过利用可以被称作驱动激光的放大光束照射包括目标材料的目标来产生所需的等离子体。出于该目的,该等离子体通常是在例如真空腔的密封容器中产生,并且使用各种类型的计量仪器进行观察。该目标材料可以是液滴、板、带、流或簇的形式。
发明内容
在一个总体方面,一种系统包括空间调制设备,其被配置为与光束相互作用以创建经修改光束,该经修改光束包括沿垂直于该经修改光束的传播方向的方向具有非均一强度的光的空间图案,该光的空间图案包括一个或多个光分量;和目标供应系统,其被配置为向目标区域提供目标,该目标包括目标材料,所述目标材料在处于等离子体状态时发射EUV光。该目标区域与束路径重叠,使得该经修改束中的一个或多个光分量中的至少一些光分量与该目标的一部分进行相互作用。
实施方式可以包括以下一个或多个特征。该空间调制设备可以是衍射光学元件。衍射光学器件可以是空间光调制器(SLM)、自适应光学器件、掩模版和/或光栅。该空间调制设备可以是折射光学元件。折射光学器件可以是透镜、小透镜阵列和/或掩模版。
该光的空间图案可以包括两个或更多光分量,并且该两个或更多光分量中的每一个光分量具有基本上相同的强度。该光的空间图案可以包括以直线网格布置的两个或更多光分量。该空间调制设备可以包括至少一个达曼光栅。
该空间调制设备还可以被配置为与第二光束相互作用以创建第二经修改光束,该第二经修改光束包括沿垂直于该第二经修改光束的传播方向的方向具有非均一强度的光的第二空间图案,该光的第二空间图案包括一个或多个第二光分量。
在一些实施方式中,该系统还包括被配置为发射光束的第一光生成模块,和被配置为发射第二光束的第二光生成模块。
在另一个总体方面,一种形成用于极紫外(EUV)光源的目标的方法包括将光束引导到束路径上;使得该光束与位于该束路径上的空间调制设备进行相互作用以形成经修改光束,该经修改光束包括沿垂直于该经修改光束的传播方向的方向具有非均一强度的光的空间图案,该光的空间图案包括一个或多个光分量;并且使得该经修改光束与包括目标材料的目标进行相互作用,所述目标材料在处于等离子体状态时发射EUV光。该空间图案中的一个或多个光分量中的至少一些光分量与该目标的区域进行相互作用从而修改该目标的该区域的属性。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASML荷兰有限公司,未经ASML荷兰有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980024259.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。