[发明专利]多晶硅棒的制造方法以及反应炉

权利要求书

1.一种多晶硅棒的制造方法，其特征在于，

使用如下构造的反应炉：利用钟罩和底板将内部密闭，在所述底板设有用于保持多条硅芯线并且对所述硅芯线通电的电极对，进而，在所述底板以顶端喷出口朝上的方式分别设有用于向所述钟罩的内部空间供给硅沉积用原料气体的多个气体供给喷嘴，

一边对所述硅芯线通电一边使硅沉积用原料气体从所述气体供给喷嘴喷出，由此使多晶硅沉积在所述硅芯线，

作为所述气体供给喷嘴的至少一个，使用流量放大喷嘴，其具有通过被供给至喷嘴的硅沉积用原料气体与被导入喷嘴内的钟罩内气氛混合而被增量并吹出的作用，

并且，所述流量放大喷嘴在喷嘴周壁设有周壁开口部，具有：所述原料气体在喷嘴内的硅沉积用原料气体流通路朝向顶端喷出口流动时，从所述周壁开口部将喷嘴周围的气氛吸入至所述硅沉积用原料气体流通路的作用，

所述流量放大喷嘴为所述周壁开口部的内壁侧开口面上端位处的硅沉积用原料气体流通路的内空截面积比所述周壁开口部的内壁侧开口面下端位附近处的硅沉积用原料气体流通路的内空截面积大的构造。

2.根据权利要求1所述的多晶硅棒的制造方法，其中，

供给至喷嘴的硅沉积用原料气体与被导入喷嘴内的钟罩内气氛混合，原料气体的容量被增量为1.1～3.0倍。

3.一种多晶硅棒制造用反应炉，其特征在于，为如下构造：利用钟罩和底板将内部密闭，在所述底板设有用于保持多条硅芯线并且对所述硅芯线通电的电极对，进而，在所述底板以顶端喷出口朝上的方式分别设有用于向所述钟罩的内部空间供给硅沉积用原料气体的多个气体供给喷嘴，

所述气体供给喷嘴的至少一个是流量放大喷嘴，其具有通过被供给至喷嘴的硅沉积用原料气体与被导入喷嘴内的钟罩内气氛混合而被增量并吹出的作用，

并且，所述流量放大喷嘴在喷嘴周壁设有周壁开口部，具有：所述原料气体在喷嘴内的硅沉积用原料气体流通路朝向顶端喷出口流动时，从所述周壁开口部将喷嘴周围的气氛吸入至所述硅沉积用原料气体流通路的作用，

所述流量放大喷嘴为所述周壁开口部的内壁侧开口面上端位处的硅沉积用原料气体流通路的内空截面积比所述周壁开口部的内壁侧开口面下端位附近处的硅沉积用原料气体流通路的内空截面积大的构造。