[发明专利]具有改进的功率耐久性和耐热性的BAW谐振器以及包括BAW谐振器的RF滤波器在审
| 申请号： | 201980024577.7 | 申请日： | 2019-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN111937304A | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | M·希克;R·罗塞齐恩;W·艾格纳;T·米特迈尔;E·施米德哈默;S·沙玛利;X·佩鲁瓦;C·许克;A·A·希拉卡瓦 | 申请（专利权）人： | RF360欧洲有限责任公司 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02;H03H9/17;H03H9/54 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 张曦 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 改进 功率 耐久性 耐热性 baw 谐振器 以及 包括 rf 滤波器 | ||
1.一种BAW谐振器，包括：
-层堆叠，具有底部电极、顶部电极、以及在所述底部电极与所述顶部电极之间的压电材料，
-分流路径，与所述层堆叠并联，被提供以使得RF信号能够绕过所述层堆叠，
其中：
-所述分流路径具有依赖于温度的电导。
2.根据前一权利要求所述的BAW谐振器，包括在所述底部电极下方的声镜，其中所述声镜具有依赖于温度的电导并且建立所述分流路径的元件。
3.根据前述权利要求中的一项所述的BAW谐振器，被布置在载体衬底上，其中所述载体衬底具有依赖于温度的电导并且建立所述分流路径的元件。
4.根据前述权利要求中的一项所述的BAW谐振器，包括保护元件，其中所述保护元件具有依赖于温度的电导并且建立所述分流路径的元件。
5.根据前述权利要求中的一项所述的BAW谐振器，被布置在包括硅的载体衬底上。
6.根据前一权利要求所述的BAW谐振器，其中所述硅是掺杂硅。
7.根据前一权利要求所述的BAW谐振器，其中：
所述硅在低于100℃的温度具有低于10-31/Ωcm的电导率，并且在高于200℃的温度具有高于10-31/Ωcm的电导率。
8.根据前述权利要求中的一项所述的BAW谐振器，其中硅氧化物层被布置在所述底部电极与载体衬底之间。
9.根据前一权利要求所述的BAW谐振器，其中所述硅氧化物层具有在100nm与600nm之间的厚度。
10.根据前述权利要求中的一项所述的BAW谐振器，其中所述分流路径直接通向地电位。
11.根据前述权利要求中的一项所述的BAW谐振器，其中所述分流路径包括掺杂水平不同于其周围的节段。
12.一种RF滤波器，包括根据前述权利要求中的一项的BAW谐振器。
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