[发明专利]使用激光束对半导体基板进行局部金属化

权利要求书

1.一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括：

为基板提供中间层，所述中间层包括开口，所述开口通向所述基板的暴露部分；

将金属箔定位在所述中间层中的所述开口上方；以及

将所述金属箔暴露于激光束以形成多个导电接触结构，每个导电接触结构具有局部沉积的金属部分，所述局部沉积的金属部分电连接至所述基板的所述暴露部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其中将所述金属箔定位在所述基板上方包括将所述金属箔的连续片材定位在所述基板上方。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述基板包括多个N型和P型半导体区，并且其中所述中间层中的所述开口使所述多个N型和P型半导体区的部分露出。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述基板之中或上方形成多个半导体区。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述将所述金属箔暴露于所述激光束之后，去除所述金属箔的至少一部分。

6.根据权利要求5所述的方法，其中去除所述金属箔的未暴露于所述激光束的至少一部分包括在所述导电接触结构的边缘处形成边缘特征。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述将所述金属箔暴露于所述激光束形成飞溅特征。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括去除所述飞溅特征。

9.一种太阳能电池，包括：

基板；

多个半导体区，所述多个半导体区设置在所述基板之中或上方；以及

多个导电接触结构，所述多个导电接触结构电连接至所述多个半导体区，每个导电接触结构包括设置成与所述多个半导体区中的至少一者直接接触的局部沉积的金属结构。

10.根据权利要求9所述的太阳能电池，其中所述多个半导体区为设置在所述基板之中或上方的多个N型和P型多晶硅区。

11.根据权利要求9所述的太阳能电池，还包括：

中间层，所述中间层设置在所述基板上，其中所述中间层包括开口，所述开口使所述基板的对应于所述多个导电接触结构的部分露出。

12.根据权利要求11所述的太阳能电池，还包括：

金属箔部分，所述金属箔部分设置在所述中间层的至少一部分上方。

13.根据权利要求12所述的太阳能电池，其中所述金属箔部分与所述局部沉积的金属结构中的一者接触。

14.根据权利要求13所述的太阳能电池，其中所述导电接触结构包括边缘特征。

15.一种对基板进行金属化的方法，所述方法包括：

将金属箔定位在所述基板上方；以及

将所述金属箔暴露于激光束以形成多个导电接触结构，每个导电接触结构具有电连接至所述基板的局部沉积的金属部分。

16.根据权利要求15所述的方法，其中将所述金属箔定位在所述基板上方包括将所述金属箔的连续片材定位在所述基板上方。

17.根据权利要求15所述的方法，包括对所述多个导电接触结构进行图案化。

18.根据权利要求15所述的方法，还包括：

在将所述金属箔暴露于所述激光束之后，

去除所述金属箔的至少一部分。

19.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在基板上方形成中间层，所述中间层具有使所述基板的部分露出的开口。

20.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述基板之中或上方形成多个半导体区。