[发明专利]摄像装置和摄像系统在审
申请号: | 201980024730.6 | 申请日: | 2019-04-04 |
公开(公告)号: | CN111954930A | 公开(公告)日: | 2020-11-17 |
发明(设计)人: | 小林宽和;广瀬久敬;熊木聪;松尾康弘 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/10;H04N5/335;H04N5/369;H04N5/341;H04N5/378 |
代理公司: | 北京魏启学律师事务所 11398 | 代理人: | 魏启学 |
地址: | 日本东京都大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 摄像 装置 系统 | ||
1.一种摄像装置,包括:
多个像素,其按多个行和多个列配置,
其中,所述多个像素中的各像素包括:
受光单元,其具有设置在半导体基板的表面部中的第一导电型的多个第一半导体区域、以及设置在所述半导体基板的所述表面部中的在所述多个第一半导体区域之间的第二导电型的第二半导体区域,多个光电二极管各自配置在所述多个第一半导体区域其中之一与所述第二半导体区域之间;
多个淬灭电路,其各自连接至所述多个第一半导体区域中的相应第一半导体区域;以及
计数单元,其连接至所述多个第一半导体区域和所述多个淬灭电路之间的各个连接节点,所述计数单元用于对响应于光子入射到所述受光单元上而生成的脉冲进行计数,
其中,所述第二半导体区域被设置成遍及所述半导体基板中的与所述多个第一半导体区域相比更深的部分。
2.根据权利要求1所述的摄像装置,还包括:
所述第一导电型的多个第三半导体区域,与所述多个第一半导体区域相比所述多个第三半导体区域具有更低的杂质浓度,所述多个第三半导体区域设置在所述半导体基板的表面部中的、所述第二半导体区域与所述多个第一半导体区域之间的位置处。
3.根据权利要求2所述的摄像装置,其中,所述多个第三半导体区域被设置成遍及所述半导体基板中的与所述多个第一半导体区域相比更深的部分。
4.根据权利要求2或3所述的摄像装置,其中,所述第二半导体区域被设置成覆盖所述多个第三半导体区域的底部中的位于所述多个第一半导体区域之间的区域。
5.根据权利要求2或3所述的摄像装置,其中,所述第二半导体区域被设置成覆盖所述多个第三半导体区域的整个底部。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的摄像装置,还包括:
第一分离部,其由设置在所述像素中的相邻像素的所述受光单元之间的所述第二导电型的第四半导体区域构成。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的摄像装置,还包括:
第二分离部,其由与所述第二半导体区域相比具有更低的杂质浓度的所述第二导电型的第五半导体区域构成,所述第二分离部被设置成从所述第二半导体区域至所述半导体基板的与所述表面部相反的一侧的第二表面部。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的摄像装置,其中,所述多个像素中的各像素还包括一个微透镜,所述一个微透镜设置在所述半导体基板的与所述表面部相反的一侧的第二表面部上。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的摄像装置,其中,所述多个像素中的各像素包括所述第一半导体区域中的沿第一方向相邻配置的两个第一半导体区域,其中当在平面图中观看时所述受光单元的中心位于这两个第一半导体区域之间。
10.根据权利要求9所述的摄像装置,其中,所述多个像素中的各像素还包括所述第一半导体区域中的沿与所述第一方向相交的第二方向相邻配置的两个第一半导体区域,其中所述中心位于这两个第一半导体区域之间。
11.根据权利要求1至8中任一项所述的摄像装置,其中,所述多个像素包括:
第一像素,其包括所述第一半导体区域中的沿第一方向相邻配置的两个第一半导体区域,其中当在平面图中观看时所述受光单元的中心位于这两个第一半导体区域之间;以及
第二像素,其包括所述第一半导体区域中的沿与所述第一方向相交的第二方向相邻配置的两个第一半导体区域,其中所述中心位于这两个第一半导体区域之间。
12.根据权利要求9至11中任一项所述的摄像装置,其中,所述多个像素中的各像素还包括布置在所述中心的所述第一半导体区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的