[发明专利]具有改善的功率耐久性和耐热性的SAW谐振器以及包括SAW谐振器的RF滤波器

权利要求书

1.一种SAW谐振器，包括：

-载体衬底、电极结构、以及在所述载体衬底与所述电极结构之间布置的压电材料；

-分流路径，平行于所述电极结构并且被设置为使得RF信号绕过所述电极结构；

其中

-所述分流路径具有温度相关电导。

2.根据前述权利要求所述的SAW谐振器，还包括反射结构，所述电极结构布置在所述反射结构之间。

3.根据前述权利要求中一项所述的SAW谐振器，其中所述压电材料被包含在压电层中，并且所述SAW谐振器是TF-SAW谐振器。

4.根据前述权利要求中一项所述的SAW谐振器，包括保护元件，其中所述保护元件具有温度相关电导并且建立所述分流路径的元件。

5.根据前述权利要求中一项所述的SAW谐振器，其中所述载体衬底包括硅。

6.根据前述权利要求中一项所述的SAW谐振器，还包括所述载体衬底与所述压电材料之间的分流层。

7.根据前一权利要求所述的SAW谐振器，其中所述分流层包括多晶硅。

8.根据前一权利要求所述的SAW谐振器，其中所述分流层：

-在低于100℃的温度下的电导率低于10^-31/Ωcm；以及

-在高于200℃的温度下的电导率高于10^-31/Ωcm。

9.根据前述权利要求中一项所述的SAW谐振器，其中所述分流路径的电导的温度相关性通过掺杂获得。

10.根据前述权利要求中一项所述的SAW谐振器，还包括所述载体衬底与所述压电材料之间的补偿层。

11.根据前述权利要求中一项所述的SAW谐振器，其中所述补偿层包括选自氧化硅、掺杂的氧化硅、二氧化硅、掺杂的二氧化硅、氟掺杂的二氧化硅的材料。

12.根据前述权利要求中一项所述的SAW谐振器，包括：

-分流层，位于所述载体衬底与所述压电材料之间；

-所述压电材料，位于压电层中；

-补偿层，位于所述分流层与所述压电层之间；

其中

-所述载体衬底包括硅，

-所述分流层包括多晶硅，并且厚度介于0.01λ与1.0λ之间，

-所述补偿层包括氧化硅，并且厚度介于0.01λ与1.0λ之间，

-所述压电层包含钽酸锂，并且厚度介于0.01λ与1.0λ之间，

-所述电极结构包括作为其主要成分的Al，并且厚度介于0.02λ与0.2λ之间，

-λ是所述谐振器的主模式的声学波长。

13.根据前述权利要求所述的SAW谐振器，其中所述载体衬底被定向为使得相对于所述谐振器的主模式的所述声传播方向，欧拉角为(0°±10°，0°±10°，45°±10°)或(45°±10°，54°±10°，0°±10°)。

14.一种RF滤波器，包括根据前述权利要求中一项所述的SAW谐振器。