[发明专利]物理气相沉积的腔室内电磁铁

权利要求书

1.一种物理气相沉积(PVD)系统，包括：

真空处理腔室，所述真空处理腔室包括：

溅射靶材；

基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述真空处理腔室内，所述基板支撑件经配置以将基板定位在所述溅射靶材附近；

沉积屏蔽物，所述沉积屏蔽物设置在所述真空处理腔室内；

处理区域，所述处理区域设置在所述真空处理腔室内，并且所述处理区域以所述靶材的表面、所述基板支撑件的表面和所述沉积屏蔽物的内表面为界；和

电磁铁的线圈部分，其中所述线圈部分设置在所述真空处理腔室内并且在所述处理区域外部。

2.如权利要求1所述的PVD系统，进一步包括环形结构，所述线圈部分设置在所述环形结构上，其中所述环形结构设置在所述真空处理腔室内并且在所述处理区域外部。

3.如权利要求2所述的PVD系统，其中所述环形结构包含导管，以用于使所述环形结构内的冷却液流动。

4.如权利要求3所述的PVD系统，其中所述导管包括多个通道，所述多个通道通过分隔器彼此流体分离。

5.如权利要求4所述的PVD系统，其中所述分隔器经配置以支撑水盖，所述水盖使所述线圈从所述导管流体分离。

6.如权利要求2所述的PVD系统，其中所述线圈设置在腔体中，所述腔体形成于所述环形结构中。

7.如权利要求6所述的PVD系统，进一步包括盖板，当在所述真空处理腔室中存在真空时，所述盖板使所述线圈与真空流体分离。

8.如权利要求6所述的PVD系统，其中在所述真空处理腔室内处理基板期间，所述腔体流体耦合到所述真空处理腔室外部的大气。

9.如权利要求1所述的PVD系统，进一步包括直流(DC)电源，所述直流(DC)电源耦合到所述线圈部分。

10.如权利要求9所述的PVD系统，其中所述DC电源包括以下项中的一个：可编程电源，所述可编程电源经配置以响应于命令而产生可变DC输出，所述命令选择输出曲线；或可控电源，所述可控电源经配置以响应于输入值而产生可变DC输出。

11.如权利要求1所述的PVD系统，进一步包括额外电磁铁的额外线圈部分，其中所述额外线圈部分设置在所述真空处理腔室内并且在所述处理区域外部。

12.如权利要求11所述的PVD系统，其中线圈部分耦合至第一DC电源并且所述额外线圈部分耦合到第二DC电源。

13.一种在真空腔室中进行物理气相沉积的方法，所述方法包括以下步骤：

将基板定位在所述真空腔室的处理区域中，其中所述处理区域设置在所述真空腔室的溅射靶材的表面、所述真空腔室中的基板支撑件的表面和设置在所述真空腔室中的沉积屏蔽物的内表面之间；

在处理区域中产生等离子体；和

当等离子体存在于所述处理区域中时，将直流(DC)电力施加到电磁铁的线圈部分，其中所述线圈部分设置在所述真空腔室内并且在所述处理区域外部。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述线圈部分设置在环形结构上，所述方法进一步包括以下步骤：当所述处理区域中存在所述等离子体时，对设置在所述环形结构内的导管供应冷却液。

15.如权利要求13所述的方法，其中对所述线圈部分施加所述DC电力的步骤包括以下步骤：从可变输出DC功率源对所述线圈部分施加脉冲DC电力。