[发明专利]药液的异常检测装置、液处理装置、基片处理装置、药液的异常检测方法、液处理方法和基片处理方法在审
申请号: | 201980024973.X | 申请日: | 2019-04-01 |
公开(公告)号: | CN112041968A | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
发明(设计)人: | 林圣人;森拓也;志手英男;坂本浩一 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;B05C9/14;B05C11/00;B05C11/08;B05C11/10;B05D1/40;B05D3/00;B05D3/06 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;徐飞跃 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 药液 异常 检测 装置 处理 方法 | ||
【技术问题】在对被处理体供给药液来进行处理时,防止在处理中产生异常,或者检测药液流路中的含有聚合物的药液相对于其他药液是否为希望的比例。【技术手段】本发明的装置包括:含有聚合物的药液所流动的药液流路;对所述药液流路照射激光的激光照射部;接收从所述药液流路供给来的光的受光元件;和检测部,其基于从所述受光元件输出的信号,检测所述药液所含的聚合物中的过半数存在的聚合物的状态异常,或者检测所述药液流路中的含有该聚合物的药液与其他药液的比例。
技术领域
本发明涉及对供给到被处理体来进行处理的药液的异常进行检测的技术。
背景技术
在半导体器件的制造工序中,形成抗蚀膜、抗蚀膜的下层膜、位于下层膜与抗蚀膜之间的中间的膜(中间层)等各种的膜。抗蚀膜通过将作为药液的抗蚀剂供给到作为基片的晶片而形成,下层膜和中间层有时也通过药液的供给而形成。各药液作为其主成分含有规定浓度的聚合物。此外,在药液中有可能包含本来不包含的杂质,已知有光学地检测这样的杂质的方法,例如专利文献1、2公开了该方法。另外,上述的抗蚀膜通过曝光和显影而形成图案,但是关于该图案,存在产生会在应除去抗蚀剂的部位残留抗蚀剂的被称为桥或半桥的缺陷的情况。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开昭62-285042号公报。
专利文献2:WO/2017/126360号公报。
发明内容
发明想要解决的技术问题
本发明是鉴于上述的情况而完成的,其目的在于提供一种在对被处理体供给药液来进行处理时,防止在处理中产生异常,或者检测药液流路中的含有聚合物的药液相对于其他药液是否为希望的比例的技术。
用于解决问题的技术手段
本发明的药液的异常检测装置,其包括:
含有聚合物的药液所流动的药液流路;
对所述药液流路照射激光的激光照射部;
接收从所述药液流路供给来的光的受光元件;和
检测部,其基于从所述受光元件输出的信号,检测所述药液所含的聚合物中的过半数存在的聚合物的状态异常,或者检测所述药液流路中的含有该聚合物的药液与其他药液的比例。
发明效果
根据本发明,在对被处理体供给药液来进行处理时,能够防止在处理中产生异常,或者检测药液流路中的含有聚合物的药液相对于其他药液是否为希望的比例。
附图说明
图1是本发明的抗蚀剂涂敷装置的概略图。
图2是上述抗蚀剂涂敷装置的立体图。
图3是设置在上述抗蚀剂涂敷装置中的光学检测单元的俯视图。
图4是构成上述光学检测单元的流路阵列的立体图。
图5是构成上述光学检测单元的受光元件组的俯视图。
图6是表示设置在抗蚀剂涂敷装置中的控制部的处理的工序图。
图7是表示上述控制部的结构的块图。
图8是表示抗蚀剂涂敷装置的各部的动作时刻的流程图。
图9是表示上述控制部中的处理的流程图。
图10是表示设置在抗蚀剂涂敷装置中的抗蚀剂供给部的结构的概略图。
图11是表示上述控制部中的其他处理例的工序图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造