[发明专利]光电转换元件和成像装置在审

申请号：	201980025104.9	申请日：	2019-04-04
公开（公告）号：	CN112074964A	公开（公告）日：	2020-12-11
发明（设计）人：	榎修;根岸佑树;长谷川雄大;八木岩;氏家康晴;齐藤阳介	申请（专利权）人：	索尼公司;索尼半导体解决方案公司
主分类号：	H01L51/42	分类号：	H01L51/42;A61B1/04;G02B23/24;H01L27/146;H01L27/30
代理公司：	北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290	代理人：	姚鹏;曹正建
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	光电转换元件成像装置
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【权利要求书】：

1.一种光电转换元件包括：

第一电极；

第二电极，所述第二电极被布置为与所述第一电极相对；和

光电转换层，所述光电转换层被布置成与所述第一电极和所述第二电极相对并且位于所述第一电极与所述第二电极之间；所述光电转换层包含由下面通式(1)表示的第一化合物和具有不同于所述第一化合物的骨架的第二化合物。

(R1至R10分别独立地表示氢原子，卤素原子，氨基基团，羟基基团，烷氧基基团，酰基氨基基团，酰氧基基团，苯基基团，羧基基团，酰胺基团，羰基烷氧基基团，酰基基团，磺酰基基团，氰基基团和硝基基团，直链、支链或环状烷基基团，芳基基团，杂芳基基团，杂芳基氨基基团，具有芳基氨基作为取代基的芳基基团，具有杂芳基氨基作为取代基的芳基基团，具有芳基氨基作为取代基的杂芳基基团、具有杂芳基氨基作为取代基的杂芳基基团，或者它们的衍生物。此外，R1至R10可以在除了R4和R5之间以外的两个相邻的取代基之间形成环。此外，R1至R10中的至少两者具有氢原子以外的取代基。)

2.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中，所述第一化合物包括有机半导体。

3.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中，所述第一化合物具有空穴传输属性。

4.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中，所述第一化合物具有供电子属性。

5.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中，所述第一化合物在可见区域中具有透光性。

6.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中，所述第一化合物在从450nm到700nm的波长范围内具有透光性。

7.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中，所述第一化合物在从450nm到700nm的波长范围内具有100000cm^-1或更小的吸收系数。

8.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中，所述第一化合物在从450nm到700nm的波长范围内具有20000cm^-1或更小的吸收系数。

9.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中，所述第一化合物在从450nm到700nm的波长范围内具有10000cm^-1或更小的吸收系数。

10.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中，所述第二化合物包括有机半导体。

11.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中，所述第二化合物具有电子传输属性。

12.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中，所述第二化合物具有电子接收属性。

13.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中，所述第二化合物包括富勒烯或富勒烯衍生物。