[发明专利]基于形状计量的晶片位置评分

说明书

本发明提供用于基于形状计量的晶片位置评分的方法及系统。一种方法包含针对晶片上的至少两个位置选择基于形状的分组SBG规则。针对所述晶片位置中的一者，所述选择步骤包含使用所述一个位置的计量数据修改所述晶片的设计中的几何基元之间的距离且基于所述距离确定与以所述一个位置为中心的视场中的所述几何基元相关联的SBG规则的计量复杂性MC得分。所述选择步骤还包含基于所述MC得分针对所述一个位置选择所述SBG规则中的一者。所述方法还包含基于针对所述晶片上的所述至少两个位置选择的所述SBG规则对所述至少两个位置排序。

技术领域

本发明大体上涉及用于基于形状计量的晶片位置评分的方法及系统。

背景技术

以下描述及实例不会凭借其包含在本章节中而被认为是现有技术。

在半导体制造工艺期间的各个步骤使用检验过程来检测晶片上的缺陷以促进制造工艺中的更高良率及因此更高利润。检验始终是制造半导体装置的重要部分。然而，随着半导体装置尺寸减小，检验对于成功制造可接受半导体装置变得更为重要，这是因为较小缺陷可导致装置故障。

通常在所属领域中提及的“关注区域”是出于检验目的而受到关注的样品上的区域。有时，关注区域用于区分在检验过程中被检验的样品上的区域与未被检验的样品上的区域。另外，关注区域有时用于区分将使用一或多个不同参数检验的样品上的区域。例如，如果样品的第一区域比样品上的第二区域更关键，那么可使用高于第二区域的敏感度检验第一区域，使得使用较高敏感度在第一区域中检测缺陷。可以类似方式在关注区域之间更改检验过程的其它参数。

当前使用不同类别的检验关注区域。一个类别是传统关注区域，其传统地手工绘制。在几乎大多数用户采用设计引导检验的情况下，当前使用非常少传统关注区域。另一类别是基于设计的关注区域。这些是基于印刷在样品上的芯片设计图案的启发导出的关注区域。多个技术及工具可用于界定这些基于设计的关注区域。由于其是从实况(芯片设计)导出，因此其最终提供高精度、微型关注区域且还允许检验系统存储大量关注区域。这些关注区域不仅从缺陷检测立场是重要的，而且通常对噪声抑制至关重要。

出于检验目的，识别或选择样品上的关注区域并非始终是简单的。例如，用于生成关注区域的过程可包含运行基本上热检验，即，具有异常低阈值的检验。接着，由此检验检测到的事件可基于接近所述事件的样品的设计进行分组。由于检验是基本上热运行，因此所检测事件或多或少完全是公害。因此，基于所检测事件的基于设计的分组的结果，可识别生成最频繁检测到的公害事件的设计的部分。可产生含有这些“公害生成”图案的新关注区域。然而，产生这些关注区域可为困难及/或耗时的。可重复上文描述的步骤直到充分地生成关注区域。

缺陷重检通常涉及重新检测通过检验过程检测为缺陷的缺陷且使用高放大率光学系统或扫描电子显微镜(SEM)以较高分辨率生成关于缺陷的额外信息。因此，在其中已通过检验检测到缺陷的晶片上的离散位置处执行缺陷重检。通过缺陷重检生成的缺陷的较高分辨率数据更适用于确定缺陷的属性，例如轮廓、粗糙度、更准确大小信息等。

在半导体制造工艺期间的各种步骤还使用计量过程来监测且控制所述工艺。计量过程与检验过程不同之处在于，不同于其中在晶片上检测缺陷的检验过程，计量过程用于测量无法使用当前所使用的检验工具确定的晶片的一或多个特性。例如，计量过程用于测量晶片的一或多个特性(例如在工艺期间形成在晶片上的特征的尺寸(例如，线宽、厚度等))，使得可从一或多个特性确定工艺的性能。另外，如果晶片的一或多个特性是不可接受的(例如，在所述(若干)特性的预定范围之外)，那么可使用晶片的一或多个特性的测量来更改所述工艺的一或多个参数，使得由所述工艺制造的额外晶片具有(若干)可接受特性。