[发明专利]摄像器件、层叠型摄像器件和固态摄像装置

权利要求书

1.一种摄像器件，其包括：

光电转换单元，第一电极、光电转换层和第二电极层叠在所述光电转换单元中，

其中，

在所述第一电极和所述光电转换层之间形成有无机氧化物半导体材料层，并且

所述无机氧化物半导体材料层包括铟原子、镓原子和锡原子。

2.根据权利要求1所述的摄像器件，其中，在所述无机氧化物半导体材料层由In_aGa_bSn_cO_d表示时，满足ab且ac。

3.根据权利要求2所述的摄像器件，其中，满足abc。

4.根据权利要求2所述的摄像器件，其中，满足acb。

5.根据权利要求1所述的摄像器件，其中，

在所述无机氧化物半导体材料层由In_aGa_bSn_cO_d表示时，满足以下条件：

a+b+c+d＝1.00

0.4a/(a+b+c)0.5

0.3b/(a+b+c)0.4

0.2c/(a+b+c)0.3。

6.根据权利要求1所述的摄像器件，其中，

在所述无机氧化物半导体材料层由In_aGa_bSn_cO_d表示时，满足以下条件：

a+b+c+d＝1.00

0.30a/(a+b+c)0.55

0.20b/(a+b+c)0.35

0.25c/(a+b+c)0.45。

7.根据权利要求1所述的摄像器件，其中，所述光电转换单元还包括绝缘层和电荷存储电极，所述电荷存储电极远离所述第一电极布置并且隔着所述绝缘层面对所述无机氧化物半导体材料层。

8.根据权利要求1所述的摄像器件，其中，形成位于所述无机氧化物半导体材料层附近的所述光电转换层的部分的材料的LUMO值E₁以及形成所述无机氧化物半导体材料层的材料的LUMO值E₂满足以下表达式：

E₂-E₁≥0.1eV。

9.根据权利要求8所述的摄像器件，其中，满足以下表达式：

E₂-E₁0.1eV。

10.根据权利要求1所述的摄像器件，其中，形成所述无机氧化物半导体材料层的材料的载流子迁移率为10cm²/V·s以上。

11.根据权利要求1所述的摄像器件，其中，所述无机氧化物半导体材料层是非结晶的。

12.根据权利要求1所述的摄像器件，其中，所述无机氧化物半导体材料层具有1×10^-8m至1.5×10^-7m的厚度。

13.根据权利要求1所述的摄像器件，其中，

光从所述第二电极进入，并且

在所述光电转换层和所述无机氧化物半导体材料层之间的界面处的所述无机氧化物半导体材料层的表面粗糙度Ra为1.5nm以下，并且所述无机氧化物半导体材料层的均方根粗糙度Rq的值为2.5nm以下。

14.一种层叠型摄像器件，其包括至少一个根据权利要求1～13中任一项所述的摄像器件。

15.一种固态摄像装置，其包括多个根据权利要求1～13中任一项所述的摄像器件。

16.一种固态摄像装置，其包括多个根据权利要求14所述的层叠型摄像器件。