[发明专利]摄像元件、层叠型摄像元件和固态摄像装置

权利要求书

1.一种摄像元件，包括：

通过将第一电极、光电转换层和第二电极层叠而形成的光电转换部，

其中，在所述第一电极与所述光电转换层之间形成有无机氧化物半导体材料层，并且

所述无机氧化物半导体材料层包含镓原子和锡原子。

2.根据权利要求1所述的摄像元件，其中，

当所述无机氧化物半导体材料层由Ga_aSn_bO_c表示时，满足ab。

3.根据权利要求1所述的摄像元件，其中，

当所述无机氧化物半导体材料层由Ga_aSn_bO_c表示时，满足

a+b+c＝1.00和0.20b/(a+b)0.40。

4.根据权利要求3所述的摄像元件，其中，

满足0.20b/(a+b)0.35。

5.一种摄像元件，包括：

通过将第一电极、光电转换层和第二电极层叠而形成的光电转换部，

其中，在所述第一电极与所述光电转换层之间形成有无机氧化物半导体材料层，并且

所述无机氧化物半导体材料层包含镓原子和铟原子。

6.根据权利要求5所述的摄像元件，其中，

当所述无机氧化物半导体材料层由Ga_dIn_eO_f表示时，满足de。

7.根据权利要求5所述的摄像元件，其中，

当所述无机氧化物半导体材料层由Ga_dIn_eO_f表示时，满足

d+e+f＝1.00和0.20e/(d+e)0.40。

8.根据权利要求1或5所述的摄像元件，其中，

所述光电转换部还包括绝缘层和电荷累积电极，所述电荷累积电极与所述第一电极分离地设置着，并且所述电荷累积电极隔着所述绝缘层与所述无机氧化物半导体材料层面对着。

9.根据权利要求1或5所述的摄像元件，其中，

构成所述光电转换层的位于所述无机氧化物半导体材料层附近的部分的材料的LUMO值E₁和构成所述无机氧化物半导体材料层的材料的LUMO值E₂满足下式：

E₂-E₁≥0.1eV。

10.根据权利要求9所述的摄像元件，其中，满足下式：

E₂-E₁0.1eV。

11.根据权利要求1或5所述的摄像元件，其中，构成所述无机氧化物半导体材料层的材料的载流子迁移率为10cm²/V·s以上。

12.根据权利要求1或5所述的摄像元件，其中，所述无机氧化物半导体材料层是非晶的。

13.根据权利要求1或5所述的摄像元件，其中，所述无机氧化物半导体材料层的厚度为1×10^-8m至1.5×10^-7m。

14.根据权利要求1或5所述的摄像元件，其中，

光从所述第二电极入射，

所述光电转换层与所述无机氧化物半导体材料层之间的界面处的所述无机氧化物半导体材料层的表面粗糙度Ra为1.5nm以下，并且所述无机氧化物半导体材料层的均方根粗糙度Rq的值为2.5nm以下。

15.一种层叠型摄像元件，其包括至少一个根据权利要求1至14中任一项所述的摄像元件。