[发明专利]摄像装置及摄像系统

权利要求书

1.一种摄像装置，其具备：

半导体基板，其具有接受来自外部的光的第1面及所述第1面的相反侧的第2面；

第1晶体管，其位于所述第2面上；和

光电转换部，其面向所述第2面，且接受透过所述半导体基板后的光，

所述半导体基板为硅基板或硅化合物基板，

所述光电转换部包含：

与所述第1晶体管电连接的第1电极；

第2电极；和

光电转换层，其位于所述第1电极与所述第2电极之间，且包含吸收1.1μm以上的第1波长的光的材料，

所述第1电极位于所述第2面与所述光电转换层之间，

所述材料的1.0μm以上且低于1.1μm的波长区域中的光谱灵敏度为所述材料的1.1μm以上的波长区域中的光谱灵敏度的最大值的0％～5％的范围内。

2.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述材料具有量子纳米结构。

3.根据权利要求2所述的摄像装置，其中，所述材料为碳纳米管。

4.根据权利要求2所述的摄像装置，其中，所述材料为包含选自III族元素、IV族元素、V族元素及VI族元素中的至少1种的纳米粒子。

5.根据权利要求2～4中任一项所述的摄像装置，其中，

所述材料将低于1.1μm的第2波长的光吸收，

所述半导体基板将所述第2波长的光吸收。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的摄像装置，其中，所述半导体基板的厚度为30μm～800μm。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的摄像装置，其进一步具备面向所述第1面的微透镜。

8.根据权利要求7所述的摄像装置，

其进一步具备导电结构，所述导电结构位于所述光电转换部与所述半导体基板之间，且将所述第1电极与所述第1晶体管电连接，

所述第1电极与所述导电结构的连接部从所述第1面的法线方向观察位于比所述微透镜的外缘更靠外侧。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的摄像装置，其进一步具备绝缘层，所述绝缘层位于所述光电转换部与所述半导体基板之间，且包含波导结构。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的摄像装置，其中，所述第1电极对于所述第1波长的光而言具有80％以上的透射率。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的摄像装置，其中，所述第2电极对于所述第1波长的光而言具有80％以上的反射率。

12.根据权利要求1～11中任一项所述的摄像装置，其进一步具备覆盖所述光电转换部的密封膜。

13.根据权利要求1～12中任一项所述的摄像装置，其进一步具备像素，所述像素包含所述光电转换部及所述第1晶体管。

14.根据权利要求13所述的摄像装置，

其进一步具备一个以上的光电二极管，所述光电二极管配置于所述半导体基板内，且包含第1光电二极管，

所述像素进一步包含所述第1光电二极管。

15.根据权利要求14所述的摄像装置，其进一步具备第2晶体管，所述第2晶体管位于所述第2面上，且与所述第1光电二极管电连接。

16.根据权利要求14或15所述的摄像装置，其中，

所述一个以上的光电二极管包含多个光电二极管，

所述像素包含所述多个光电二极管。