[发明专利]背面入射型半导体光检测元件

说明书

半导体基板(11)具有彼此相对的第一主面(11a)和第二主面(11b)。半导体基板(11)在第二主面(11b)侧具备多个第二半导体区域(15)。多个第二半导体区域(15)分别包括：具有纹理表面(TS)的第一区域(17)；和配置有凸块电极(35)的第二区域(19)。多个第二半导体区域(15)在从与半导体基板(11)正交的方向看时，沿彼此正交的第一方向和第二方向二维排列。第一区域(17)和第二区域(19)在与第一方向和第二方向交叉的方向上相邻。第一区域(17)的纹理表面(TS)在半导体基板(11)的厚度方向上位于比第二区域(19)的表面更靠近第一主面(11a)的位置。第一主面(11a)是对半导体基板的光入射面。

技术领域

本发明涉及背面入射型半导体光检测元件。

背景技术

已知具备具有彼此相对的第一主面和第二主面的半导体基板的背面入射型半导体光检测元件(例如参照专利文献1和2)。专利文献2所记载的背面入射型半导体光检测元件中，半导体基板具有第一导电类型的第一半导体区域和第二导电类型的多个第二半导体区域。半导体基板在第二主面侧具有多个第二半导体区域。各第二半导体区域与第一半导体区域构成pn结。第一主面是对半导体基板的光入射面。多个第二半导体区域具有纹理表面。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：美国专利申请公开第2012/0313204号说明书

专利文献2：日本特开2011-023417号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

本发明的一个方式的目的在于提供在安装于电子部件时，也抑制暗电流的发生的背面入射型半导体光检测元件。电子部件例如包括配线基板或ASIC。

解决问题的技术手段

本发明的一个方式的背面入射型半导体光检测元件具有半导体基板和多个凸块电极。半导体基板具有彼此相对的第一主面和第二主面。第一主面是对半导体基板的光入射面。半导体基板具有第一导电类型的第一半导体区域和多个第二半导体区域。多个第二半导体区域设置于第二主面侧，并且与第一半导体区域构成pn结。多个第二半导体区域分别包括：具有纹理表面的第一区域；和配置有多个凸块电极中对应的凸块电极的第二区域。多个第二半导体区域在从与半导体基板正交的方向看时，沿彼此正交的第一方向和第二方向二维排列。第一区域和第二区域在与第一方向和第二方向交叉的方向上相邻。第一区域的纹理表面在半导体基板的厚度方向上位于比第二区域的表面更靠近第一主面的位置。

上述一个方式的背面入射型半导体光检测元件中，第二半导体区域的第一区域具有纹理表面。长波长区域的光与短波长区域的光相比吸收系数较小。长波长区域例如是近红外的波长区域。由此，从第一主面入射至半导体基板的长波长区域的光进入半导体基板内，到达纹理表面。到达纹理表面的光在纹理表面反射或扩散，进一步进入半导体基板内。长波长区域的光进入半导体基板内的距离较长，因此长波长区域的光被半导体基板吸收。其结果，上述一个方式提高长波长区域上的分光灵敏度特性。

应力作用于半导体基板时，存在产生不是由光的入射引起的载体的担忧。不是由光的入射引起的载体导致产生暗电流。

上述一个方式的背面入射型半导体光检测元件经由凸块电极与电子部件安装。由此，背面入射型半导体光检测元件安装于电子部件时，应力作用于第二区域。第一区域的纹理表面在半导体基板的厚度方向上位于比第二区域的表面更靠近第一主面的位置，因此应力作用于第二区域时，应力也不易作用于第一区域。其结果，第一区域中能够抑制不是由光的入射引起的载体的产生。上述一个方式抑制暗电流的产生。