[发明专利]背面入射型半导体光检测元件

权利要求书

1.一种背面入射型半导体光检测元件，其特征在于，包括：

具有彼此相对的第一主面和第二主面的半导体基板；

多个垫电极；

配置于所述多个垫电极中对应的垫电极、并与对应的所述垫电极电连接的多个凸块电极；和

配置于所述半导体基板的所述第二主面的绝缘膜，

所述半导体基板具有：第一导电型的第一半导体区域；和设置于所述第二主面侧并且与所述第一半导体区域构成pn结的第二导电型的多个第二半导体区域，

所述多个第二半导体区域分别包括：具有纹理表面的第一区域；和配置有所述多个凸块电极中对应的凸块电极的第二区域，

所述绝缘膜具有：覆盖所述多个第二半导体区域的表面的第一绝缘膜；和覆盖所述垫电极的周缘的第二绝缘膜，

所述垫电极具有：配置于所述第二区域并且与所述第二区域接触的第一电极区域；与所述第一电极区域连续并且配置于所述第一绝缘膜中的与所述第一区域对应的区域的至少一部分的第二电极区域，

所述第一主面是朝向所述半导体基板的光入射面。

2.如权利要求1所述的背面入射型半导体光检测元件，其特征在于：

所述纹理表面的凹陷的最深位置处的所述第一区域的厚度小于所述半导体基板的厚度方向上的所述第二区域的表面与所述最深位置的间隔。

3.如权利要求1或2所述的背面入射型半导体光检测元件，其特征在于：

所述半导体基板的厚度方向上的所述第二区域的厚度大于所述半导体基板的所述厚度方向上的所述第一区域的厚度。

4.如权利要求1～3中任一项所述的背面入射型半导体光检测元件，其特征在于：

所述第一区域的所述纹理表面在所述半导体基板的厚度方向上位于比所述第二区域的所述表面靠所述第一主面的位置。

5.如权利要求4所述的背面入射型半导体光检测元件，其特征在于：

所述第一区域的所述纹理表面的边缘区域与所述第二区域的所述表面连续，并且相对于所述半导体基板的厚度方向倾斜。

6.如权利要求1～5中任一项所述的背面入射型半导体光检测元件，其特征在于：

所述第二绝缘膜覆盖所述第一绝缘膜中的与所述第一区域对应的所述区域。

7.如权利要求1～6中任一项所述的背面入射型半导体光检测元件，其特征在于：

所述第一绝缘膜是氧化膜，

所述第二绝缘膜是氮化膜。

8.如权利要求1～7中任一项所述的背面入射型半导体光检测元件，其特征在于：

所述第二区域不具有纹理表面。