[发明专利]用于制造具有二极管的矩阵的光电器件的方法

权利要求书

1.一种用于制造具有二极管(2)的矩阵阵列的光电器件(1)的方法，每个二极管(2)包括：由第一掺杂段(31)和第二掺杂段(33)形成的半导体堆叠(30)，在所述第一掺杂段与第二掺杂段之间设置有有源区域(32)，并且所述半导体堆叠具有热膨胀系数α_es，所述方法包括以下步骤：

i)提供具有小于α_es的热膨胀系数α_sc的生长衬底(10)，并且所述生长衬底包括覆盖有限定成核表面(12b)的成核层(12)的承载衬底(11)；

ii)在所述成核表面(12b)上沉积由具有小于α_es的热膨胀系数α_mc的电绝缘材料制成的电介质层(20)；

iii)在所述电介质层(20)中形成通向所述成核表面(12b)的多个通孔(21)；

o蚀刻位于所述通孔(21)中的成核层(12)，以空出所述承载衬底(11)的上表面并暴露所述成核层(12)的侧面，从而形成成核侧面(12c)；

o形成在所述承载衬底中或上延伸的电介质区域(13、15)，以使得在外延生长的步骤iv)期间，每个第一掺杂段(31)尤其是自所述成核侧面(12c)形成的；

iv)通过外延生长在所述通孔(21)中并且自所述成核表面(12b)产生所述半导体堆叠(30)，以使得至少所述第一掺杂段(31)和所述有源区域(32)位于所述通孔(21)中。

2.如权利要求1所述的制造方法，其中，每个通孔(21)包括单个成核表面(12b)，所述单个成核表面在所述通孔(21)的轮廓的一部分上延伸，并且其成核侧面(12c)在与所述承载衬底(11)的平面平行的平面中以凸起或连续直线的方式延伸。

3.如权利要求2所述的制造方法，每个通孔被所述电介质层(20)的至少一个侧边界(22)横向地限定，其中，所述成核侧面(12c)与所述侧边界(22)齐平。

4.如权利要求2所述的制造方法，其中，每个通孔(21)包括所述成核层的凸起部(14)，所述凸起部(14)延伸到所述承载衬底(11)上的通孔(21)中，并且不被所述电介质层(20)覆盖。

5.如权利要求4所述的制造方法，其中，所述凸起部(14)的上部面(14b)参与形成所述成核表面(12b)。

6.如权利要求4所述的制造方法，所述制造方法包括以下步骤：沉积薄的电介质层(15)，以覆盖所述凸起部(14)的上部面(14b)以及所述承载衬底(11)的上部面，从而形成所述电介质区域(13、15)，同时空出所述成核侧面(12c)。

7.如权利要求1至6中任一项所述的制造方法，其中，所述电介质区域(13、15)通过硅基承载衬底(11)的氧化或氮化，或通过沉积薄的电介质层(15)来形成。

8.如权利要求1至7中任一项所述的制造方法，其中，在所述外延生长步骤期间，在所述半导体堆叠(30)与所述电介质区域(13、15)之间形成空的空间(16)，并且其中，外延生长的步骤iv)之后接着是去除所述半导体堆叠(30)的包含所述空的空间(16)的一部分和所述生长衬底(10)的步骤。