[发明专利]隔离的背侧氦输送系统

说明书

此处所述的实施例提供一种防止惰性气体形成寄生等离子体的背侧气体输送组件。背侧气体输送组件包括第一气体通道，所述第一气体通道设置于基板支撑组件的杆中。基板支撑组件包括基板支撑件，所述基板支撑件具有从第一气体通道延伸的第二气体通道。背侧气体输送组件进一步包括：多孔塞，所述多孔塞设置于第一气体通道内，定位于杆与基板支撑件的界面处；气源，所述气源连接至第一气体通道，配置成将惰性气体输送至设置于基板支撑件的上表面上的基板的背侧表面；以及气体管道，所述气体管道在第一气体通道中，延伸至定位于杆与基板支撑件的界面处的多孔塞。

背景技术

技术领域

本公开内容总的来说涉及处理腔室，并且涉及在所述处理腔室中使用的背侧气体输送组件。

相关技术的描述

在集成电路和其他电子器件的制造中，等离子体工艺通常用于各种材料层的沉积或蚀刻。诸如射频(RF)功率之类的高频功率通常用以例如在工艺腔室内部产生等离子体。当将RF功率施加至基板支撑件时，通常也将直流(DC)偏压施加至基板支撑件，以在处理期间将基板夹持至基板支撑件。为了在处理期间改进基板支撑件与基板之间的热均匀性及传热，诸如氦之类的惰性气体通过背侧气体输送组件输送至基板的背侧。

然而，在处理期间，流动通过背侧气体输送组件的惰性气体由于背侧气体输送组件靠近施加至基板支撑件的RF功率，从而可沿着背侧气体输送组件的各个点离子化。离子化的惰性气体可形成寄生等离子体，所述寄生等离子体传播通过整个背侧输送气体组件，且在不期望的基板的背侧表面上沉积例如金属之类的污染物。

因此，需要防止惰性气体形成寄生等离子体的改进的背侧气体输送组件。

发明内容

在一个实施例中，提供一种背侧气体输送组件。背侧气体输送组件包括第一气体通道，设置于基板支撑组件的杆中。基板支撑组件包括基板支撑件，所述基板支撑件具有从第一气体通道延伸的第二气体通道。背侧气体输送组件进一步包括多孔塞，所述多孔塞设置于第一气体通道内，定位于杆与基板支撑件的界面处。

在另一实施例中，提供一种背侧气体输送组件。背侧气体输送组件包括第一气体通道，所述第一气体通道设置于基板支撑组件的杆中。基板支撑组件包括基板支撑件，所述基板支撑件具有从第一气体通道延伸的第二气体通道。背侧气体输送组件进一步包括多孔塞，所述多孔塞设置于第一气体通道内，定位于杆与基板支撑件的界面处；气源，所述气源连接至第一气体通道，配置成将惰性气体输送至设置于基板支撑件的上表面上的基板的背侧表面；以及气体管道，所述气体管道在第一气体通道中，延伸至定位于杆与基板支撑件的界面处的多孔塞。

在又一实施例中，提供一种背侧气体输送组件。背侧气体输送组件包括第一气体通道，所述第一气体通道设置于基板支撑组件的杆中。基板支撑组件包括基板支撑件，所述基板支撑件具有从第一气体通道延伸的第二气体通道。背侧气体输送组件进一步包括多孔塞，所述多孔塞设置于第一气体通道内，定位于杆与基板支撑件的界面处；气源，所述气源连接至第一气体通道，配置成将惰性气体输送至设置于基板支撑件的上表面上的基板的背侧表面；以及气体管道，所述气体管道连接至电接地，具有介于约0.025英寸与0.075英寸之间的内直径，且具有小于5微英寸的表面光洁度的内表面，所述气体管道结合至第一气体通道，且延伸至定位于杆与基板支撑件的界面处的多孔塞。

附图说明

可由此方式详细理解本公开内容的以上所记载的特征，而以上简要概述的本公开内容的更具体的描述可参考实施例而获得，某些实施例示于附图中。然而，应理解，附图仅示出本公开内容的典型实施例，且因此不应被考虑为范围的限制，因为本公开内容允许其他等效的实施例。

图1A是根据实施例的等离子体处理腔室的示意性剖面视图。

图1B是图1A中所示的基板支撑组件的放大的示意性剖面视图。

图1C是图1B中所示的背侧气体输送组件的放大的示意性剖面视图。