[发明专利]经由气相沉积调谐P金属功函数膜的功函数

权利要求书

1.一种在基板上形成具有期望p功函数的p金属功函数氮化物膜的方法，包含以下步骤：

调节基板的温度、一或多个时间上分开的气相脉冲的持续时间、钨前驱物与钛前驱物的比率、或反应的压力中的一或多项，以将p金属功函数氮化物膜的功函数调谐为期望p功函数；和

使所述基板与所述钨前驱物、所述钛前驱物、及反应气体的时间上分开的气相脉冲接触，以在所述基板上形成具有所述期望p功函数的p金属功函数氮化物膜。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述基板的所述温度介于约250℃至约500℃之间。

3.如权利要求1或2所述的方法，其中所述基板的所述温度介于约375℃至约400℃之间。

4.如权利要求1至3任一项所述的方法，其中所述时间上分开的气相脉冲具有在约0.1秒至10秒之间的持续时间。

5.如权利要求1至4任一项所述的方法，其中一或多个时间上分开的气相脉冲的持续时间介于约1秒至5秒之间。

6.如权利要求1至5任一项所述的方法，其中所述反应的所述压力介于约1Torr至50Torr之间。

7.如权利要求1至6任一项所述的方法，其中所述反应的所述压力介于约5Torr至25Torr之间。

8.如权利要求1至7任一项所述的方法，其中所述基板的所述温度介于约375℃至约400℃之间，其中所述时间上分开的气相脉冲的持续时间介于约1秒至5秒之间，其中所述压力介于约5Torr至25Torr之间。

9.如权利要求1至8任一项所述的方法，进一步包含以下步骤：在每个气相脉冲之后移除过量的钨前驱物、钛前驱物、及反应气体。

10.如权利要求9所述的方法，其中移除的步骤进一步包含以下步骤：用惰性气体净化反应空间。

11.如权利要求1至10任一项所述的方法，其中所述p金属功函数氮化物膜进一步包含碳化物。

12.如权利要求1至11任一项所述的方法，其中所述钨前驱物包含WCl₅、WCl₆、WF₆、双(叔丁基亚胺基)-双(二甲基酰胺基)钨-(VI)中的一或多种。

13.如权利要求1至12任一项所述的方法，其中所述钛前驱物包含TiCl₄、TDMAT、TDEAT、或上述的组合。

14.一种在反应中于基板上方形成具有期望p功函数的一或多个p金属功函数膜的方法，包含以下步骤：

调节反应的一或多个处理参数以将一或多个p金属功函数氮化物膜的功函数调谐为期望p功函数；和

交替及连续地使所述基板与一或多种金属源化学试剂及一或多种反应气体的时间上分开的气相脉冲接触以形成具有期望功函数的一或多个p金属功函数氮化物膜。

15.一种其上储存有指令的非暂时性计算机可读取媒体，当执行所述指令时，产生一种在处理腔室中的基板上形成具有期望p功函数的p金属功函数氮化物膜的方法，所述方法包含以下步骤：调节基板的温度、一或多个时间上分开的气相脉冲的持续时间、钨前驱物与钛前驱物的比率、或反应的压力中的一或多项，以将p金属功函数氮化物膜的功函数调谐为期望p功函数；和使所述基板与所述钨前驱物、所述钛前驱物、及反应气体的时间上分开的气相脉冲接触，以在所述基板上形成具有所述期望p功函数的p金属功函数氮化物膜。