[发明专利]测定方法和测定装置在审
申请号: | 201980026272.X | 申请日: | 2019-04-10 |
公开(公告)号: | CN111989763A | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
发明(设计)人: | 三村勇之;鹤田茂登;真锅英二;日诘久则 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/66 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 测定 方法 装置 | ||
本公开的一个方式的测定方法包括测定位移(A1)的工序、将摄像部(20)配置于能够拍摄测定标记(M1)的位置的工序以及拍摄测定标记(M1)的工序。在测定位移(A1)的工序中,测定将两张基板接合而成的重合基板的、配置有用于测定位置偏离的测定标记(M1)的部位处的靠摄像部(20)侧表面的位移(A1),所述测定标记(M1)设置于所述重合基板的内部。在拍摄测定标记(M1)的工序中,利用摄像部(20),以一边将预先基于位移(A1)设定的焦点位置作为基准使焦点位置前后移动一边进行对焦的方式来拍摄测定标记(M1)。
技术领域
本公开涉及一种测定方法和测定装置。
背景技术
以往,作为将半导体晶圆等基板彼此接合的方法,已知如下一种方法:将基板的进行接合的表面改性,使改性后的基板的表面亲水化,通过范德华力和氢键(分子间力)将亲水化后的基板彼此接合。另外,已知如下一种方法:在接合后的基板间的内部设置用于测定位置偏离的标记(下面也称作测定标记。),通过拍摄该测定标记来评价基板间的位置偏离量(参照专利文献1)。
专利文献1:日本特开2013-115384号公报
发明内容
本公开提供一种能够高效地使焦点对准设置于重合基板的内部的测定标记的技术。
本公开的一个方式的测定方法包括测定位移的工序、将摄像部配置于能够拍摄测定标记的位置的工序以及拍摄所述测定标记的工序。在测定位移的工序中,测定将两张基板接合而成的重合基板的、靠摄像部侧的表面在配置有用于测定位置偏离的测定标记的部位处的靠摄像部侧的重合基板表面的位移,所述测定标记设置于所述重合基板的内部。在拍摄所述测定标记的工序中,利用所述摄像部,以一边将预先基于所述位移设定的焦点位置作为基准使焦点位置前后移动一边进行对焦的方式来拍摄所述测定标记。
根据本公开,能够高效地使焦点对准设置于重合基板的内部的测定标记。
附图说明
图1是表示实施方式所涉及的测定装置的概要结构的立体图。
图2是表示实施方式所涉及的重合晶圆和测定标记的结构的示意图。
图3A是用于说明实施方式所涉及的重合晶圆搬送处理的图(1)。
图3B是用于说明实施方式所涉及的重合晶圆搬送处理的图(2)。
图3C是用于说明实施方式所涉及的重合晶圆搬送处理的图(3)。
图3D是用于说明实施方式所涉及的重合晶圆搬送处理的图(4)。
图3E是用于说明实施方式所涉及的重合晶圆搬送处理的图(5)。
图3F是用于说明实施方式所涉及的重合晶圆搬送处理的图(6)。
图4A是用于说明实施方式所涉及的重合晶圆的搭载角度调整处理的图(1)。
图4B是用于说明实施方式所涉及的重合晶圆的搭载角度调整处理的图(2)。
图5是用于说明实施方式所涉及的测定标记位置设定处理的图。
图6A是用于说明实施方式所涉及的对焦处理的图(1)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造