[发明专利]多晶硅的包装方法、多晶硅的双重包装方法及单晶硅用原料制造方法

说明书

一种减少表面有机杂质、尤其是表面碳杂质的污染的多晶硅的包装方法，其中，在包装袋中填充多晶硅之后，用夹持棒夹持比填充所述多晶硅而成的填充部更靠近包装袋的开口部侧且比用于熔接密封包装袋的熔接密封预定部更靠近填充部侧的部位，以免气体流入填充部，且在由该夹持棒夹持的状态下，通过密封棒夹持熔接密封预定部而进行熔接，在熔接之后拆卸夹持棒。

技术领域

本发明涉及一种包装制造单晶硅等时用作熔融原料的块状多晶硅等的多晶硅的包装方法、多晶硅的双重包装方法及单晶硅用原料制造方法。本申请主张基于2018年4月18日申请的日本专利申请2018-79562号的优先权，并将其内容援用于此。

背景技术

以往，使用于硅半导体原料或太阳能电池原料等的多晶硅例如通过被称为西门子法(Siemens method)的气相法制造成棒状，然后，进行切断或破碎，以便用作原料，由此形成为规定大小的块状的多晶硅(以下，称为块状多晶硅)。对该块状多晶硅实施清洗或干燥等处理，按规定量进行包装，并且为了运输而装箱发货。

近年，随着半导体器件性能的提高而对多晶硅的质量要求更加严格。例如，作为污染的原因，可举出块状金属杂质、表面金属杂质及表面碳杂质等。其中，关于表面碳杂质，有时不易掌握或确定污染原因，关于其减少，尚未达到充分的水平。

例如，在专利文献1中，关于来自多晶硅容纳夹具的挥发成分公开有：多晶硅块表面的有机杂质浓度的问题点及其减少化的方法。并且，非专利文献1中公开有关于各种树脂材料中的逸出气体产生的信息。如此，因温度的影响而由构成树脂材料等的材料产生的逸出气体(挥发成分)若附着于周围的物质，则也会成为由表面有机杂质、尤其由表面碳杂质引起污染的原因。

如专利文献2所示，这种块状多晶硅例如为了避免金属污染而通过由聚乙烯膜制成的包装材料(塑料袋)进行包装。在该专利文献2中，在填充一定重量的多晶硅之后，使用焊接钳口以恒定的接点压力脉冲密封塑料袋。该密封操作中的密封温度以检测出密封线的电阻测量来调整。强烈要求降低块状多晶硅的污染水平。在包装材料的密封中，不充分的密封有可能会成为污染的原因，因此需要可靠地密封，并且不使用填充后会成为污染的原因的粘结剂等，而通常进行基于熔接的密封。

专利文献1：日本特开2017-57119号公报

专利文献2：日本特开2014-108829号公报

专利文献3：日本特开昭51-61392号公报

非专利文献1：有機汚染物質/アウトガスの発生メカニズムとトラブル対策事例集(2008年1月31日第1版第1刷発行p.28及び29技術情報協会)(有机污染物质/逸出气体的产生机理及故障应对事例集(2008年1月31日，第1版第1次印刷发行，第28及29页，技术信息协会))

在基于专利文献2的结构的包装方法中，作为课题举出了焊缝方式下的包装袋的损伤，作为其对策公开了如前述那样的方法。然而，关于这种以往的包装袋的密封操作，尚未充分考虑伴随密封的逸出气体的影响。

另一方面，专利文献3中公开有如下内容：在进行袋装体的热封时，以基于除去袋装体内的残留空气而长期保存袋装体内装物为目的，阶段性地进行包装体内的脱气及预备密封，密封填充口，并进行填充口的冷却。也可以考虑将这种方法适用于填充有块状多晶硅的包装袋，但虽然有抑制逸出气体对填充物的附着的效果，但终究未对密封后的逸出气体进行研究，从而未采取充分的措施。认为由这种包装袋的熔接引起的密封时的逸出气体根据密封条件(例如，温度或时间)而其程度发生变化，产生量也变少，但即便是微量污染，也存在对在使用处制造的半导体等的特性造成影响的可能性，因此在多晶硅中无法忽视。

发明内容

本发明是鉴于这种情况而完成的，其目的在于关于块状多晶硅等多晶硅的包装方法，提供一种减少由上述的有机杂质、尤其由碳杂质引起的表面污染的多晶硅的包装方法、多晶硅的双重包装方法及单晶硅用原料制造方法。