[发明专利]具有中间回路、变流器和制动斩波器的电压供应装置在审

专利信息
申请号: 201980026345.5 申请日: 2019-04-16
公开(公告)号: CN112119576A 公开(公告)日: 2020-12-22
发明(设计)人: V·达米克;S·H·W·肖尼沃尔夫 申请(专利权)人: 西门子交通有限责任公司
主分类号: H02M1/14 分类号: H02M1/14;H02M1/32
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 姬亚东;刘春元
地址: 德国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 中间 回路 变流器 制动 斩波器 电压 供应 装置
【权利要求书】:

1.一种电压供应装置,所述电压供应装置具有:

- 至少一个中间回路,所述中间回路包括至少一个中间回路电容器(CZK),

- 至少一个变流器(S),其中所述变流器(S)与所述中间回路的端子连接,使得所述变流器(S)能够由所述中间回路电容器(CZK)馈送电能和/或所述变流器能够将电能馈入到所述中间回路中, 和

- 至少一个制动斩波器(B),所述制动斩波器与所述中间回路电容器(CZK)的端子连接,使得所述中间回路电容器(CZK)的电能能够通过所述制动斩波器(B)转换成热能,

其特征在于,

所述变流器(S)配设有至少一个较高时钟激励的半导体开关(H-SiC),而所述制动斩波器(B)配设有至少一个较低时钟激励的半导体开关(H-Si)。

2.根据权利要求1所述的电压供应装置,

其特征在于,

所述变流器(S)配设有基于SiC的至少一个较高时钟激励的半导体开关(H-SiC),而所述制动斩波器(B)配设有基于Si的至少一个较低时钟激励的半导体开关(H-Si)。

3.根据权利要求1或2所述的电压供应装置,

其特征在于,

所述变流器(S)配设有至少一个SiC-MOSFET。

4.根据上述权利要求中任一项所述的电压供应装置,

其特征在于,

所述制动斩波器(B)配设有至少一个Si-IGBT。

5.根据上述要求中任一项所述的电压供应装置,

其特征在于,

至少一个变流器(S)构造为脉冲逆变器。

6.根据上述权利要求中任一项所述的电压供应装置,

其特征在于,

至少一个变流器(S)构造为四象限调节器。

7.根据上述权利要求中任一项所述的电压供应装置,

其特征在于,

全部变流器(S)仅配设有基于SiC的较高时钟激励的半导体开关(H-SiC)。

8.根据上述权利要求中任一项所述的电压供应装置,

其特征在于,

全部制动斩波器(B)仅配设有基于Si的较低时钟激励的半导体开关(H-Si)。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的电压供应装置在铁路的驱动中的应用。

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