[发明专利]绝缘体上硅（SOI）技术中的横向装置

说明书

本公开的某些方面提供了一种半导体装置。一个示例半导体装置通常包括第一半导体区；第一非绝缘区，与第一半导体区的第一横向侧相邻设置；第二非绝缘区，与第一半导体区的第二横向侧相邻设置，第二横向侧与第一横向侧相对；第二半导体区，与第一半导体区的第三横向侧相邻设置，第二半导体区和第一半导体区具有不同掺杂类型或不同掺杂浓度中的至少一项；绝缘层，与第一半导体区的顶侧相邻；以及第三非绝缘区，该绝缘层布置在第三非绝缘区与第一半导体区之间。

优先权要求

本专利申请要求于2018年4月20日提交的标题为“绝缘体上硅(SOI)技术中的横向装置”申请号15/958,185的优先权，并且转让给本受让人，并且在此明确地通过引用并入本文。

技术领域

本公开的某些方面一般涉及电子电路，并且更具体地涉及半导体装置。

背景技术

半导体电容器是集成电路的基本组件。可变电容器是其电容可以在偏置电压的影响下被有意和重复地改变的电容器。可变电容器通常使用在电感器-电容器(LC)电路中，以设置振荡器的谐振频率，或者用作可变电抗，例如用于天线调谐器中的阻抗匹配。一种示例类型的可变电容器被称为transcap(TC)装置，其是具有至少三个端子的基于金属氧化物半导体(MOS)的可变电容器，这些端子中的一个端子用于调制TC装置的两个端子之间的电容。

压控振荡器(VCO)是可以使用变容管的示例电路，其中通过转变偏置电压以改变结电容，来使p-n结二极管中形成的耗尽区的尺寸变化。任何结型二极管都表现出这种效应(包括晶体管中的p-n结)，但是用作可变电容二极管的装置被设计成具有大结面积和掺杂分布，该掺杂分布被特别选择以改善装置性能(例如品质因数和调谐范围)。

发明内容

本公开的某些方面一般涉及与绝缘体上硅(SOI)技术兼容的半导体装置的结构。

本公开的某些方面提供了一种半导体装置。该半导体装置通常包括第一半导体区；第一非绝缘区，与第一半导体区的第一横向侧相邻设置；第二非绝缘区，与第一半导体区的第二横向侧相邻设置，第二横向侧与第一横向侧相对；第二半导体区，与第一半导体区的第三横向侧相邻设置，第二半导体区和第一半导体区具有不同掺杂类型或不同掺杂浓度中的至少一项；绝缘层，与第一半导体区的顶侧相邻；以及第三非绝缘区，该绝缘层布置在第三非绝缘区与第一半导体区之间。

本公开的某些方面提供了一种用于制造半导体装置的方法。该方法通常包括形成第一半导体区；形成第一非绝缘区，第一非绝缘区与第一半导体区的第一横向侧相邻；形成第二非绝缘区，第二非绝缘区与第一半导体区的第二横向侧相邻，第二横向侧与第一横向侧相对；形成第二半导体区，第二半导体区与第一半导体区的第三横向侧相邻，第二半导体区和第一半导体区具有不同的掺杂类型或不同的掺杂浓度中的至少一项；形成绝缘层，与第一半导体区的顶侧相邻；并且形成第三非绝缘区，该绝缘层形成在第三非绝缘区与第一半导体区之间。

附图说明

为了能够详细理解本公开的上述特征的方式，以上简要概述的更具体的描述可以参考各方面，其中一些方面在附图中示出。然而，应注意，附图仅说明本公开的某些典型方面，且因此不应视为限制其范围，因为所述描述可以允许其它等效方面。

图1示出配置为transcap装置(TC)的示例半导体装置的截面图。

图2A、图2B和图2C示出根据本公开的某些方面的n型TC装置的截面图和俯视图。

图3A、图3B和图3C示出根据本公开的某些方面的p型TC装置的截面图和俯视图。

图4A、图4B和图4C示出根据本公开的某些方面的具有至少两个位移区的TC装置的截面图和俯视图。