[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

第一输入端子及第二输入端子；

第一输出端子及第二输出端子；

第一布线及第二布线；以及

第一至第四晶体管，

其中，所述第一晶体管的源极和漏极中的一方与所述第一布线电连接，栅极和背栅极中的一方与所述第一输入端子电连接，源极和漏极中的另一方及栅极和背栅极中的另一方与所述第二输出端子电连接，

所述第二晶体管的源极和漏极中的一方与所述第一布线电连接，栅极和背栅极中的一方与所述第二输入端子电连接，源极和漏极中的另一方及栅极和背栅极中的另一方与所述第一输出端子电连接，

所述第三晶体管的栅极及背栅极与所述第一输入端子电连接，源极和漏极中的一方与所述第一输出端子电连接，源极和漏极中的另一方与所述第二布线电连接，

并且，所述第四晶体管的栅极及背栅极与所述第二输入端子电连接，源极和漏极中的一方与所述第二输出端子电连接，源极和漏极中的另一方与所述第二布线电连接。

2.一种半导体装置，包括：

第一输入端子及第二输入端子；

第一输出端子及第二输出端子；

第一至第三布线；以及

第一至第八晶体管，

其中，所述第一晶体管的源极和漏极中的一方与所述第一布线电连接，栅极和背栅极中的一方与所述第一输入端子电连接，源极和漏极中的另一方及栅极和背栅极中的另一方与所述第二晶体管的栅极及背栅极电连接，

所述第二晶体管的源极和漏极中的一方与所述第二布线电连接，源极和漏极中的另一方与所述第二输出端子电连接，

所述第三晶体管的源极和漏极中的一方与所述第一布线电连接，栅极和背栅极中的一方与所述第二输入端子电连接，源极和漏极中的另一方及栅极和背栅极中的另一方与所述第四晶体管的栅极及背栅极电连接，

所述第四晶体管的源极和漏极中的一方与所述第二布线电连接，源极和漏极中的另一方与所述第一输出端子电连接，

所述第五晶体管的栅极及背栅极与所述第一输入端子电连接，源极和漏极中的一方与所述第四晶体管的栅极及背栅极电连接，源极和漏极中的另一方与所述第三布线电连接，

所述第六晶体管的栅极及背栅极与所述第一输入端子电连接，源极和漏极中的一方与所述第一输出端子电连接，源极和漏极中的另一方与所述第三布线电连接，

所述第七晶体管的栅极及背栅极与所述第二输入端子电连接，源极和漏极中的一方与所述第二晶体管的栅极及背栅极电连接，源极和漏极中的另一方与所述第三布线电连接，

并且，所述第八晶体管的栅极及背栅极与所述第二输入端子电连接，源极和漏极中的一方与所述第二输出端子电连接，源极和漏极中的另一方与所述第三布线电连接。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，

其中提供到所述第一布线的第一电位比提供到所述第二布线的第二电位高。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述第一至第四晶体管在沟道形成区含有金属氧化物。

5.根据权利要求2所述的半导体装置，

其中所述第一至第八晶体管在沟道形成区含有金属氧化物。

6.根据权利要求4或5所述的半导体装置，

其中所述金属氧化物至少含有In(铟)或Zn(锌)。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，

其中所述金属氧化物含有Ga(镓)。