[发明专利]原子层沉积法用薄膜形成用原料以及薄膜的制造方法

权利要求书

1.一种原子层沉积法用薄膜形成用原料，其含有下述通式(1)所示的镁化合物，

式中，R¹表示异丙基、仲丁基或叔丁基。

2.一种薄膜的制造方法，其是在基体的表面制造含有镁原子的薄膜的方法，包括：

使权利要求1所述的原子层沉积法用薄膜形成用原料气化，使其沉积于所述基体的表面而形成前体薄膜的工序；以及

使所述前体薄膜与反应性气体反应而在所述基体的表面形成含有镁原子的薄膜的工序。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其中，

所述反应性气体是氧化性气体，所述薄膜是氧化镁。

4.根据权利要求3所述的薄膜的制造方法，其中，

所述氧化性气体是含有臭氧或水蒸气的气体。

5.根据权利要求3或4所述的薄膜的制造方法，其中，

在200℃～400℃的范围使所述前体薄膜与所述反应性气体反应。