[发明专利]基板处理系统和基板处理方法

说明书

一种基板处理系统，其对基板进行处理，其中，该基板处理系统具有：改性层形成装置，其沿着第1基板中的去除对象的周缘部与中央部之间的边界在该第1基板的内部形成改性层；界面处理装置，其对所述第1基板与第2基板接合的界面的位于所述周缘部处的部分进行规定的处理；周缘去除装置，其将所述周缘部以所述改性层为基点去除；位置检测装置，其检测由所述改性层形成装置形成的所述改性层的位置或者所述界面的由所述界面处理装置处理后的位置；以及控制装置，其控制所述改性层形成装置和所述界面处理装置，在所述控制装置中，基于由所述位置检测装置检测出的所述改性层的位置，控制所述界面的由所述界面处理装置处理的位置，或者，基于由所述位置检测装置检测出的所述界面的位置，控制由所述改性层形成装置形成的所述改性层的位置。

技术领域

本申请基于2018年4月27日向日本申请的日本特愿2018－87735号和2018年9月13日向日本申请的日本特愿2018－171253号主张优先权，并将它们内容引用到本说明书中。

本公开涉及基板处理系统和基板处理方法。

背景技术

在专利文献1中，公开有通过使在外周部设有磨粒的圆板状的磨削工具旋转并使磨削工具的至少外周面与半导体晶圆呈线状抵接而将半导体晶圆的周端部磨削成大致L字状的方案。半导体晶圆是通过将两张硅晶圆贴合而制成的。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平9－216152号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开所涉及的技术能适当地去除将基板彼此接合而成的层叠基板中的一个基板的周缘部。

用于解决问题的方案

本公开的一技术方案为一种基板处理系统，其对基板进行处理，其中，该基板处理系统具有：改性层形成装置，其沿着第1基板中的去除对象的周缘部与中央部之间的边界在该第1基板的内部形成改性层；界面处理装置，其对所述第1基板与第2基板接合的界面的位于所述周缘部处的部分进行规定的处理；周缘去除装置，其将所述周缘部以所述改性层为基点去除；位置检测装置，其检测由所述改性层形成装置形成的所述改性层的位置或者所述界面的由所述界面处理装置处理后的位置；以及控制装置，其控制所述改性层形成装置和所述界面处理装置，在所述控制装置中，基于由所述位置检测装置检测出的所述改性层的位置，控制所述界面的由所述界面处理装置处理的位置，或者，基于由所述位置检测装置检测出的所述界面的位置，控制由所述改性层形成装置形成的所述改性层的位置。

发明的效果

根据本公开的一技术方案，能够适当地去除将基板彼此接合而成的层叠基板中的一个基板的周缘部。

附图说明

图1是示意性表示第1实施方式所涉及的基板处理系统的结构的概略的俯视图。

图2是表示层叠晶圆的结构的概略的侧视图。

图3是表示层叠晶圆的局部的结构的概略的侧视图。

图4是表示处理单元的结构的概略的侧视图。

图5是表示各磨削单元的结构的概略的侧视图。

图6是表示在被处理晶圆形成了改性层的形态的纵剖视图。

图7是表示在被处理晶圆形成了改性层的形态的俯视图。

图8是表示在被处理晶圆的内部形成了改性面的形态的纵剖视图。