[发明专利]防反射膜、光学元件及防反射膜的成膜方法有效

专利信息
申请号: 201980027116.5 申请日: 2019-08-09
公开(公告)号: CN112534307B 公开(公告)日: 2022-09-27
发明(设计)人: 涩谷穣;川俣和生;桥本涼 申请(专利权)人: 株式会社腾龙
主分类号: G02B1/115 分类号: G02B1/115;C23C14/08;G02B1/18
代理公司: 北京正理专利代理有限公司 11257 代理人: 付生辉
地址: 日本国埼玉县埼*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 反射 光学 元件 方法
【权利要求书】:

1.一种防反射膜,其特征在于,具备在具有最大倾斜角度为25°以上的凸的光学面的光学元件的该凸的光学面侧设置的多层构造,

构成所述多层构造的各光学薄膜为:任意的位置的填充率为90%以上,

CIE1976的Lab表色系中的L值满足以下的条件式(1),任意的2个位置处的a值的差Δa及该2个位置处的b值的差Δb满足以下的条件式(2):

L<5……(1)

(Δa2+Δb2)1/2<5……(2)。

2.如权利要求1所述的防反射膜,

所述光学薄膜为:膜厚的最小值d(min)及最大值d(max)满足以下的条件式(3):

cos(5θ/6)≤d(min)/d(max)≤1.0……(3)

其中,θ是测定位置处的凸的光学面的倾斜角度。

3.如权利要求1或者权利要求2所述的防反射膜,

所述光学薄膜包含从He、Ne、Ar、Xe、Xr的组中选择的1种以上的稀有气体元素。

4.如权利要求1或权利要求2所述的防反射膜,

所述多层构造包含作为高折射率层的光学薄膜和作为低折射率层的光学薄膜,

所述高折射率层包含从TiO2、Nb2O5、ZrO2、La2O3、Ta2O5、HfO2的组中选择的1种以上的金属氧化物。

5.如权利要求1或权利要求2所述的防反射膜,

所述多层构造包含作为高折射率层的光学薄膜和作为低折射率层的光学薄膜,

所述低折射率层包含从SiO2、Al2O3的组中选择的1种以上的金属氧化物。

6.如权利要求1或权利要求2所述的防反射膜,

任意的位置处的与入射角度0°的波长420nm以上且680nm以下的光对应的反射率为1%以下。

7.一种光学元件,其特征在于,具有最大倾斜角度为25°以上的凸的光学面,

在所述凸的光学面上具备如权利要求1至权利要求6中任一项所述的防反射膜。

8.如权利要求7所述的光学元件,

在所述凸的光学面与所述防反射膜之间,具备用于防止离子或者等离子体向该凸的光学面入射的保护层。

9.如权利要求7或者权利要求8所述的光学元件,

具备在所述防反射膜之上设置的功能膜。

10.一种防反射膜的成膜方法,其特征在于,用于在光学元件的最大倾斜角度为25°以上的凸的光学面侧形成具备多层构造的防反射膜,具备:

成膜工序,一边使光学元件旋转,一边在该光学元件的所述凸的光学面侧使来自成膜源的成膜材料沉积来形成膜;以及

照射工序,在旋转的所述光学元件的所述凸的光学面侧,将来自离子源的离子或者来自等离子体源的等离子体从相对于光轴倾斜的方向照射,从而去除在所述凸的光学面侧沉积的成膜材料,并且使所述膜致密,通过靠近所述离子源或者所述等离子体源一侧的所述凸的光学面的区域,遮蔽所述离子或者所述等离子体向远离所述离子源或者所述等离子体源一侧的所述凸的光学面的区域的入射,

通过进行所述成膜工序和所述照射工序,在所述光学元件的所述凸的光学面侧形成构成所述多层构造的各光学薄膜。

11.如权利要求10所述的防反射膜的成膜方法,

所述照射工序在所述光学元件的所述凸的光学面侧,将所述离子或者所述等离子体从相对于所述光轴以45°以上且90°以下的角度倾斜的方向照射。

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