[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，是在内部形成有空间(30)的半导体装置的制造方法，其特征在于，

具备以下工序：

准备多个硅基板(11、13、21)；

在上述多个硅基板中的至少1个，形成凹部(14、23)；

在上述多个硅基板中的至少1个，在从上述空间的预定形成区域离开了的部分，形成硅氧化膜(12、22)，该硅氧化膜(12、22)形成有将该预定形成区域包围并达到上述多个硅基板的外周的槽部(17、28)；

以将上述槽部覆盖的方式，将上述多个硅基板中的形成有上述硅氧化膜的硅基板与上述多个硅基板中的另一个利用经由上述硅氧化膜的直接接合而进行接合，形成气体排出路径(40)并形成上述多个硅基板及上述硅氧化膜的层叠构造，由上述凹部在上述层叠构造的内部形成上述空间；以及

在形成上述空间后，通过热处理，将上述空间的内部的气体经由上述气体排出路径向上述层叠构造的外部排出。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

形成形成有上述槽部的上述硅氧化膜的工序是如下工序：

在上述多个硅基板中的至少1个，在形成上述硅氧化膜之后，将上述硅氧化膜的一部分蚀刻而形成上述槽部。

3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

形成形成有上述槽部的上述硅氧化膜的工序包括以下工序：

在上述多个硅基板中的形成上述硅氧化膜的至少1个，形成作为基底的槽部(29)；以及

在形成上述作为基底的槽部之后，在上述多个硅基板中的至少1个之上，形成通过反映出上述作为基底的槽部的形状而形成有上述槽部的上述硅氧化膜。

4.一种半导体装置，在内部形成有空间(30)，其特征在于，

具有：

支承层(11)，由硅构成；

活性层(13)，由硅构成，具有元件部(15)，并且经由第1硅氧化膜(12)而被接合在上述支承层之上；以及

盖部(20)，由硅构成，经由第2硅氧化膜(22)而被接合在上述活性层之上，并且在与上述元件部对应的位置形成有凹部(23)；

构成了上述支承层、上述第1硅氧化膜、上述活性层、上述第2硅氧化膜及上述盖部的层叠构造，并且由上述凹部在上述层叠构造的内部形成上述空间；

在上述第1硅氧化膜和上述第2硅氧化膜的至少1个，形成有将上述空间包围并达到上述活性层的外周的气体排出路径(40)。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

上述气体排出路径包括空隙，该空隙设于上述第1硅氧化膜和上述第2硅氧化膜的至少1个。

6.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

上述气体排出路径形成于上述第1硅氧化膜；

在形成有上述气体排出路径的位置，上述支承层和上述活性层从上述第1硅氧化膜露出，上述气体排出路径包括由上述支承层和上述活性层及上述第1硅氧化膜所包围的空隙。

7.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

上述气体排出路径形成于上述第2硅氧化膜；

在形成有上述气体排出路径的位置，上述活性层和上述盖部从上述第2硅氧化膜露出，上述气体排出路径包括由上述活性层和上述盖部及上述第2硅氧化膜所包围的空隙。

8.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

上述气体排出路径形成于上述第1硅氧化膜；

在形成有上述气体排出路径的位置也将上述支承层和上述活性层用上述第1硅氧化膜覆盖，从而上述气体排出路径被形成在不与上述支承层及上述活性层接触的位置。

9.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

上述气体排出路径形成于上述第2硅氧化膜；

在形成有上述气体排出路径的位置也将上述活性层和上述盖部用上述第2硅氧化膜覆盖，从而上述气体排出路径被形成在不与上述活性层及上述盖部接触的位置。

10.如权利要求4～9中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

上述空间内的压力为100Pa以下，在该空间内不具备吸气剂膜。