[发明专利]大规模并行三维逐像素单斜率模数转换器

权利要求书

1.一种单斜率模数转换器(ADC)，包括：

比较器，所述比较器具有正输入和负输入以及比较器输出，所述比较器包含在第一层中；

计数器，所述计数器耦合到所述比较器并且包含在第二层中，所述第二层由不符合ITAR的工艺形成并且低于所述第一层；

其中，所述计数器通过硅通孔电耦合到所述比较器。

2.根据权利要求1所述的单斜率ADC，其中，所述第一层和所述第二层使用不同的半导体工艺节点形成。

3.根据权利要求2所述的单斜率ADC，其中，所述第一层由ITAR180nm或90nm工艺节点形成。

4.根据前述权利要求中任一项所述的单斜率ADC，其中，所述第二层由非ITAR65nm或更小的工艺节点形成。

5.根据权利要求1所述的单斜率ADC，进一步包括耦合到所述比较器的正输入并且包含在所述第一层中的积分电容器。

6.根据权利要求1所述的单斜率ADC，其中，所述第一层通过由直接键合集成形成的直接晶片键合而物理地连接到所述第二层。

7.一种用于形成单斜率模数转换器(ADC)的方法，包括：

形成比较器，所述比较器具有正输入和负输入以及比较器输出，并且所述比较器包含在第一层中；

形成计数器，所述计数器耦合到所述比较器并且包含在第二层中；以及

通过硅通孔将所述计数器与所述比较器耦合。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，使用不同的半导体加工工艺形成所述第一层和所述第二层。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一层由ITAR180nm或90nm工艺形成。

10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述第二层由非ITAR65nm或更小的工艺形成。

11.根据权利要求7所述的方法，进一步包括在所述第一层中形成积分电容器，所述积分电容器耦合到所述比较器的输入。

12.根据前述权利要求中任一项所述的方法，进一步包括：通过直接键合集成形成的直接晶片键合将所述第一层物理连接到所述第二层。

13.一种图像检测器，包括：

包括多个单位单元的检测器单位单元阵列；和

多个单斜率模数转换器(SSADC)，所述多个SSADC中的每一个都耦合到所述单位单元中的不同单位单元的输出，其中所述多个SSADC中的每一个包括：

比较器，所述比较器具有正输入和负输入以及比较器输出，所述比较器包含在第一层中；和

计数器，所述计数器耦合到所述比较器并且包含在第二层；

其中，所述计数器通过硅通孔电耦合到所述比较器。

14.根据权利要求13所述的图像检测器，其中，所述第一层和所述第二层使用不同的半导体工艺节点形成。

15.根据权利要求14所述的图像检测器，其中，所述第一层由ITAR180nm或90nm工艺节点形成。

16.根据前述权利要求中任一项所述的图像检测器，其中，所述第二层由非-ITAR65nm或更小的工艺节点形成。

17.根据权利要求13所述的图像检测器，其中，所述多个SSADC中的每一个进一步包括耦合到所述比较器的正输入并且包含在所述第一层中的积分电容器。

18.根据前述权利要求中任一项所述的图像检测器，其中，所述第一层通过由直接键合集成形成的直接晶片键合而物理地连接到所述第二层。