[发明专利]用于功率装置的全模制半导体封装及其制造方法

权利要求书

1.一种制作半导体装置的方法，其包含：

提供半导体裸片，该半导体裸片包含前表面，该前表面包含栅极压焊点及源极压焊点，该半导体裸片还包含与该前表面相对的背表面，该背表面包含漏极；

在该栅极压焊点上方形成与该栅极压焊点耦接的栅极立柱；

在该源极压焊点上方形成与该源极压焊点耦接的源极立柱；

在该半导体裸片上方形成封装物，且该封装物包含第一表面及与该第一表面相对的第二表面，该第一表面在该半导体裸片的该前表面上方；

形成在该封装物的该第一表面与该封装物的该第二表面之间延伸的通孔互连结构；

形成重新布线层(RDL)，该重新布线层耦接至该栅极立柱、该源极立柱、及该通孔互连结构；及

在将该半导体裸片从其原生晶圆单切之后以及在该半导体裸片上方形成该封装物之后，在该半导体裸片的该背表面上方形成与该漏极耦接的焊盘压焊点。

2.如权利要求1的方法，还包含，形成围绕该半导体裸片的该封装物，且该封装物与该栅极立柱的侧表面和该源极立柱的侧表面相接触。

3.如权利要求1的方法，还包含，形成具有面积大于该半导体裸片的面积的该焊盘压焊点。

4.如权利要求1的方法，还包含，形成具有面积大于或等于该半导体裸片的面积的50％的该源极立柱。

5.如权利要求1的方法，还包含：

在该漏极上方形成势垒层，该势垒层延伸超出该半导体裸片的占用面积，该势垒层接触该半导体裸片的该背表面的80％或更多；及

在形成该势垒层之后，在该势垒层之上形成该焊盘压焊点。

6.如权利要求1的方法，还包含，形成具有面积大于或等于该半导体裸片的面积的50％的该源极立柱。

7.如权利要求1的方法，还包含：

在将该半导体裸片从其原生晶圆单切之前，在该栅极压焊点上方形成与该栅极压焊点耦接的该栅极立柱；及

在将该半导体裸片从其原生晶圆单切之前，在该源极压焊点上方形成与该源极压焊点耦接的该源极立柱。

8.一种制作半导体装置的方法，其包含：

提供半导体裸片，该半导体裸片包含前表面，该前表面包含源极压焊点，该半导体裸片还包含与该前表面相对的背表面，该背表面包含漏极；

在该源极压焊点上方形成与该源极压焊点耦接的源极立柱；

在该半导体裸片上方形成封装物，且该封装物包含第一表面及与该第一表面相对的第二表面，该第一表面在该半导体裸片的该前表面上方；

形成在该封装物的该第一表面与该封装物的该第二表面之间延伸的通孔互连结构；及

在将该半导体裸片从其原生晶圆单切之后，在该半导体裸片的该背表面上方形成与该漏极耦接的焊盘压焊点，该焊盘压焊点延伸超出该半导体裸片的占用面积。

9.如权利要求8的方法，还包含，形成具有面积大于该半导体裸片的面积的该焊盘压焊点。

10.如权利要求8的方法，还包含，形成围绕该半导体裸片的该封装物，且该封装物与栅极立柱的侧表面和该源极立柱的侧表面相接触。

11.如权利要求8的方法，还包含，形成具有面积大于或等于该半导体裸片的面积50％的该源极立柱。

12.如权利要求8的方法，其还包含：

在该漏极上方形成势垒层，该势垒层延伸超出该半导体裸片的占用面积，势垒层接触该半导体裸片的该背表面的80％或更多；及

在形成该势垒层之后，在该势垒层之上形成该焊盘压焊点。

13.如权利要求8的方法，还包含，形成具有面积大于或等于该半导体裸片的面积的50％的该源极立柱。