[发明专利]生产卤代硅烷化合物的方法

权利要求书

1.一种用于生产卤代硅烷化合物的方法，所述方法包括以下步骤：

(a)提供第一卤代硅烷化合物，所述第一卤代硅烷化合物包含共价键合至硅原子的第一卤素；

(b)提供具有入口、出口和内部容积的反应容器，所述反应容器包含设置在所述内部容积中的卤化物源，所述卤化物源包含原子序数大于所述第一卤素的第二卤素；

(c)将所述第一卤代硅烷化合物进料到所述反应容器的入口中并由所述反应容器的内部容积中通过，使得其接触所述卤化物源并反应以形成第二卤代硅烷化合物，所述第二卤代硅烷化合物包含共价键合至硅原子的至少一个第二卤素；以及

(d)从所述反应容器的出口收集产物流，所述产物流包含所述第二卤代硅烷化合物。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法进一步包括以下步骤：

(e)从所述产物流中回收未反应的第一卤代硅烷化合物；以及

(f)将回收的未反应的第一卤代硅烷化合物进料到所述反应容器的入口中。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述第一卤代硅烷化合物在进料到所述反应容器的入口中时是流体。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述卤化物源选自无水溴化物盐、无水碘化物盐及其混合物。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中所述卤化物源选自碱金属卤化物、碱土金属卤化物及其混合物。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其中所述卤化物源是无水碘化物盐。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述卤化物源是碘化锂。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，其中在约0℃至约40℃的温度下进行所述反应。

9.根据权利要求8所述的方法，其中在约20℃至约30℃的温度下进行所述反应。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的方法，其中所述第一卤代硅烷化合物选自氯代硅烷、溴代硅烷及其混合物。