[发明专利]静电保护元件和电子设备

说明书

本技术涉及能够提高对静电的保护性能的静电保护元件和电子设备。静电保护元件设置有：第一导电类型的第一杂质区，其形成在半导体基板的预定表面侧；第二导电类型的第二杂质区，其形成在半导体基板的预定表面侧并在水平方向上与第一杂质区间隔开；集电极接触部，其形成在第一杂质区中的预定表面侧，具有高于第一杂质区的浓度，并且是第一导电类型的杂质区；基极接触部，其形成在第二杂质区中的预定表面侧，具有高于第二杂质区的浓度，并且是第二导电类型的杂质区；和发射极接触部，其形成在第二杂质区中的预定表面侧并且位于比基极接触部更接近集电极接触部的位置处，具有高于第二杂质区的浓度，并且是第一导电类型的杂质区。本技术例如能够应用于电子设备。

技术领域

本发明涉及静电保护元件和电子设备。具体地，涉及BJT(Bipolar JunctionTransistor，双极性结型晶体管)型的静电保护元件和设置有BJT型静电保护元件的电子设备。

背景技术

通常，BJT型静电保护元件作为静电(静电放电)保护元件(例如，参考专利文献1和专利文献2)为大家公知。

引用列表

专利文献

专利文献1：日本专利特开第2007-242923号公报

专利文献2：日本专利特开第2013-172085号公报

发明内容

本发明要解决的技术问题

专利文献1中描述的静电保护元件具有这样的结构：其中，构成发射极、基极和集电极的杂质区沿纵向(深度方向)排列，并且基于杂质区的浓度和厚度来设置折回电压(snapback voltage)。然而，在专利文献1中描述的静电保护元件中，由于为了缩小尺寸而限制了杂质浓度的厚度并且折回电压不能设置得那么高，所以该静电保护元件无法应用于耐高压电路。

专利文献2中描述的静电保护元件具有横向结构，其中构成发射极、基极和集电极的杂质区沿横向排列，并且基于构成集电极的杂质区与构成基极的杂质区之间在水平方向上的分离距离来设置折回电压。然而，在专利文献2中描述的静电保护元件中，由于在上述杂质区下方的层中的P阱的浓度高，因此难以根据上述分离距离来控制折回电压。此外，在专利文献2中描述的静电保护元件中，由于集电极和基极彼此相邻，因此存在集电极和基极可能短路的风险并且可能无法执行双极操作。

本技术是考虑到上述情况而发明的，并且其目的是提高对静电的保护性能。

技术问题的解决方案

根据本技术的第一方面的静电保护元件包括：第一导电类型的第一杂质区，所述第一杂质区形成在半导体基板的预定表面侧；第二导电类型的第二杂质区，所述第二杂质区形成在所述半导体基板的所述预定表面侧并且相对于所述第一杂质区具有水平方向上的间隙；集电极接触部，所述集电极接触部形成在所述第一杂质区内的所述预定表面侧，所述集电极接触部具有高于所述第一杂质区的浓度并且是所述第一导电类型的杂质区；基极接触部，所述基极接触部形成在所述第二杂质区内的所述预定表面侧，所述基极接触部具有高于所述第二杂质区的浓度并且是所述第二导电类型的杂质区；和发射极接触部，所述发射极接触部形成在所述第二杂质区内的所述预定表面侧并且位于比所述基极接触部更靠近所述集电极接触部的位置处，所述发射极接触部具有高于所述第二杂质区的浓度并且是所述第一导电类型的杂质区。