[发明专利]用于降低接触电阻的基板处理的方法、装置及系统

权利要求书

1.一种用于降低接触垫的接触电阻的基板处理的方法，包括：

在底座的至少一个通道中循环冷却流体；以及

将定位在所述底座上的所述基板的背侧暴露于冷却气体，以将定位在所述底座上的基板冷却到小于70摄氏度的温度。

2.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

使氢气在所述基板之上流动。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述氢气包括氢气组合。

4.如权利要求2所述的方法，其中所述氢气是在以下至少一个情况下流动的：

在预清洁工艺期间；或

在预清洁工艺之后。

5.如权利要求2所述的方法，其中所述氢气是与氩气结合流动的。

6.如权利要求1到5中任一项所述的方法，其中所述冷却气体包括氦气或氢/氦气组合。

7.如权利要求1到5中任一项所述的方法，进一步包括：使用静电吸盘将所述基板夹持到所述底座。

8.一种用于处理基板的装置，包括：

工艺腔室，所述工艺腔室具有容纳在所述工艺腔室中的处理空间；

工艺屏蔽物，所述工艺屏蔽物设置在所述工艺腔室内并且形成所述处理空间的上和外边界；以及

底座，所述底座与所述工艺屏蔽物相对地设置在所述工艺腔室中，并且形成所述处理空间的下边界，其中所述底座包括：

静电吸盘组件，所述静电吸盘组件用来使得能将基板夹持在所述底座上；

至少一个第一通道，所述至少一个第一通道用于沿着所述底座承载冷却液以冷却所述底座上的所述基板；以及

至少一个第二通道，所述至少一个第二通道用于沿着所述底座承载冷却气体，并且终止在所述底座的顶部部分中的相应的孔洞中，以用于将所述冷却气体暴露于所述基板的背侧。

9.如权利要求8所述的装置，其中所述工艺屏蔽物包括与所述底座的支撑表面相对的弯曲内表面。

10.如权利要求9所述的装置，其中所述弯曲内表面从所述内表面的中心部分径向向外且向上地弯曲到所述内表面的外部部分，并且然后在所述内表面的相对于所述底座的基板支撑表面径向向外地设置的部分径向向外且向下地弯曲，并且然后径向向外且向下地弯曲到所述工艺屏蔽物的实质上垂直的向下延伸的壁。

11.如权利要求9所述的装置，其中所述工艺屏蔽物进一步包括：实质上垂直的向下延伸的壁，所述实质上垂直的向下延伸的壁终止在所述底座的基板支撑表面的径向外部并且比所述基板支撑表面要低的位置处。

12.如权利要求8所述的装置，进一步包括：冷却设备，所述冷却设备被配置为将所述冷却液冷却到小于70摄氏度的温度。

13.如权利要求8到12中任一项所述的装置，进一步包括：气体扩散器，所述气体扩散器被耦接到所述处理空间以使气体在所述基板之上流动。

14.如权利要求15所述的装置，其中所述气体扩散器被设置在所述工艺屏蔽物的中心开口中，其中所述气体扩散器具有圆柱形主体，所述圆柱形主体具有比所述中心开口的直径要小的直径，以在所述圆柱形主体与所述工艺屏蔽物之间界定环状间隙，并且其中所述圆柱形主体进一步包括穿过所述圆柱形主体的侧壁的多个径向开口，以将所述环状间隙流体耦接到形成于所述圆柱形主体中的开口。

15.如权利要求14所述的装置，进一步包括：气源，所述气源被耦接到所述气体扩散器，其中所述气源单独地或与惰性气体结合地提供氢气或氢/氦气组合。