[发明专利]使用暂时及永久接合的多层堆叠光学元件在审
申请号: | 201980028149.1 | 申请日: | 2019-02-21 |
公开(公告)号: | CN112020770A | 公开(公告)日: | 2020-12-01 |
发明(设计)人: | 卢多维克·戈代;韦恩·麦克米兰;罗格·梅耶·蒂默曼·蒂杰森;拿玛·阿加曼;塔帕什里·罗伊;赛捷·多莎 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/027;H01L21/52;H01L33/00;H01L27/146;G03F7/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 暂时 永久 接合 多层 堆叠 光学 元件 | ||
1.一种形成光学装置的方法,包括以下步骤:
(a)在第一基板上在目标层中形成图案,其中所述图案包括由多个凹槽分开的多个岛部;
(b)在经图案化的目标层的顶部上及在经图案化的目标层中形成的所述多个凹槽中形成填充层,以形成第一光学元件层;及
(c)藉由重复步骤(a)及(b)多个迭代,在所述第一光学元件层上形成光学元件层堆叠。
2.如权利要求1所述的方法,进一步包括以下步骤:(d)在步骤(c)之后,将第二基板接合至所述光学元件层堆叠且与所述第一基板相对。
3.如权利要求1所述的方法,其中所述填充层包含夹层,其中所述夹层自所述目标层的顶部表面延伸约50nm至约50微米的厚度。
4.如权利要求1所述的方法,其中所述第一基板包括CCD、CMOS传感器、VCSEL、或LED。
5.如权利要求1所述的方法,进一步包括以下步骤:
(f)在步骤(a)之后,在所述目标层的顶部上及在经图案化的目标层的所述多个凹槽中形成光学元件层;
(g)移除所述光学元件层的一部分,其中移除所述光学元件层的一部分的步骤产生所述光学元件层及所述目标层的顶部表面的共平面表面;
(h)在步骤(g)之后,在所述光学元件层及所述目标层的顶部上形成第二填充层,以形成第一光学元件层,其中所述第二填充层包含夹层,所述夹层延伸超出所述光学元件层的顶部表面0.5微米至50微米的距离;及
(i)重复步骤(a)至(h)以在所述第一光学元件层上形成多个光学元件层。
6.一种制造光学装置的方法,包括以下步骤:
在第一目标层中形成第一图案,所述第一目标层形成在第一基板上;
在第二目标层中形成第二图案,所述第二目标层形成在第二基板上;
接合所述第一图案至第三基板的第一侧,所述第三基板由透明材料形成,所述第三基板为约10μm厚至3mm厚;
接合所述第二图案至所述第三基板的第二侧;
自所述第一图案剥离所述第一基板;及
自所述第二图案剥离所述第二基板。
7.如权利要求6所述的方法,其中使用纳米压印光刻(NIL)及蚀刻来形成所述第一图案。
8.如权利要求6所述的方法,其中形成所述第一图案的步骤包括使用第一图案主台直接压印所述第一目标层。
9.如权利要求6所述的方法,进一步包括以下步骤:使用低折射率材料来填充所述第一图案或所述第二图案的至少一者。
10.如权利要求6所述的方法,进一步包括以下步骤:
在第四基板上在第三目标材料中形成第三图案;
接合第五基板的第一侧至所述第二图案,所述第五基板为约10μm厚至约3mm厚且由透明材料形成;及
接合所述第三图案至所述第五基板的第二侧。
11.如权利要求6所述的方法,其中形成所述第一图案及形成所述第二图案的步骤的每一者包括光学光刻或纳米压印光刻。
12.一种形成光学装置的方法,包括以下步骤:
藉由使用第一图案主台在第一位置中压印第一目标层来形成第一图案,所述第一目标层形成在透明基板的第一侧上,其中所述透明基板为约10μm厚至约3mm厚;及
藉由使用第二图案主台在所述透明基板的第二侧上形成的第二目标层上的第二位置中压印第二图案来形成第二图案,其中在所述第二位置中形成所述第二图案的步骤包括:相关于所述第一图案确定所述第二位置且在所述第二位置中对齐所述第二图案主台。
13.如权利要求12所述的方法,进一步包括以下步骤:在形成所述第一图案之后,使用低折射率材料来填充所述第一图案。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造