[发明专利]在包含TiO2和二氧化硅的整料的存在下捕获和净化气态介质的方法在审
申请号: | 201980028278.0 | 申请日: | 2019-04-12 |
公开(公告)号: | CN112203746A | 公开(公告)日: | 2021-01-08 |
发明(设计)人: | S·贝尔纳代;A·费坎;S·拉万;R-V·巴科夫;M·勒贝谢克;S·拉孔贝 | 申请(专利权)人: | IFP新能源公司 |
主分类号: | B01D53/86 | 分类号: | B01D53/86;B01J35/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 郭佩;林毅斌 |
地址: | 法国吕埃*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包含 tio2 二氧化硅 整料 在下 捕获 净化 气态 介质 方法 | ||
1.处理包含分子氧和一种或多种挥发性化合物的气态原料的方法,所述方法包括以下步骤:
a)使所述包含分子氧和一种或多种挥发性有机化合物的气态原料与包含二氧化硅和二氧化钛的整料接触,所述整料包含0.1-3ml/g的I型大孔体积,其孔隙直径大于50nm且小于或等于1000nm,以及1-8ml/g的II型大孔体积,其孔隙直径大于1µm且小于或等于10µm;
b)采用至少一种产生至少一个低于400nm的波长的辐照源辐照所述整料,以将所述挥发性有机化合物转化为二氧化碳,所述步骤b)在-30℃至+200℃的温度和0.01MPa-70MPa的压力下进行。
2.如权利要求1所述的方法,其中采用稀释剂流体稀释所述包含分子氧和一种或多种挥发性有机化合物的气态原料。
3.如权利要求1或权利要求2所述的方法,其中所述辐照源是人工辐照源。
4.如权利要求1-3中任一项所述的方法,其中所述辐照源产生至少一个300-400nm的波长。
5.如权利要求1-4中任一项所述的方法,其中步骤a)在流通式固定床反应器或扫掠式固定床反应器中进行。
6.如权利要求1-5中任一项所述的方法,其中所述整料具有0.01-1ml/g、优选0.05-0.5ml/g的中孔体积,其孔隙直径大于2nm且小于或等于50nm。
7.如权利要求1-6中任一项所述的方法,其中所述整料还具有小于0.5ml/g的大孔体积,其孔隙直径大于10μm。
8.如权利要求1-7中任一项所述的方法,其中所述整料具有0.05-0.5g/ml的堆积密度。
9.如权利要求1-8中任一项所述的方法,其中所述整料具有10-1000m2/g、优选50-600m2/g的比表面积。
10.如权利要求1-9中任一项所述的方法,其中所述整料包含相对于整料的总重量的含量为5-70重量%的二氧化钛。
11.如权利要求1-10中任一项所述的方法,其中根据以下步骤制备所述整料:
1)将含有表面活性剂的溶液与酸性溶液混合;
2)将至少一种可溶性二氧化硅前体添加到步骤1)中获得的溶液中;
3)任选地,将至少一种与步骤2)中获得的溶液不混溶的液体有机化合物添加到步骤2)中获得的溶液中,从而形成乳液;
4)将步骤2)中获得的溶液或步骤3)中获得的乳液在湿状态下熟化,从而获得凝胶;
5)采用有机溶液洗涤步骤4)中获得的凝胶;
6)将步骤5)中获得的凝胶干燥并煅烧,从而获得基于二氧化硅的整料;
7)将包含至少一种可溶性二氧化钛前体的溶液浸渍到步骤6)中获得的整料的孔隙中;
8)任选地,将步骤7)中获得的产物干燥并煅烧,从而获得含二氧化钛的基于二氧化硅的整料。
12.如权利要求11所述的方法,其中在步骤8)中,在5-120℃的温度下进行干燥。
13.如权利要求11或权利要求12所述的方法,其中在步骤8)中,在空气中进行煅烧,其中在80-150℃的第一温度固定阶段煅烧1-10小时,然后在150-250℃的第二温度固定阶段煅烧1-10小时,最后在300-950℃的第三温度固定阶段煅烧0.5-24小时。
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