[发明专利]利用电场效应的压力传感器及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201980028923.9 申请日: 2019-04-26
公开(公告)号: CN112041650A 公开(公告)日: 2020-12-04
发明(设计)人: 姜文植 申请(专利权)人: 内传感器株式会社
主分类号: G01L1/14 分类号: G01L1/14;G01L9/00
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 杨文娟;臧建明
地址: 韩国庆尚*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 利用 电场 效应 压力传感器 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种利用电场效应的压力传感器,其包括:

第一电极,其向垂直方向延伸并限定核心区域;

第二电极,其配置成整体包围所述第一电极;

第一绝缘层,其介于所述第一电极及所述第二电极之间;

接地电极,其与所述第二电极电绝缘,配置成包围所述第二电极;以及

隔膜,其配置成连接至所述接地电极并覆盖所述第一电极及所述第二电极,与所述第一电极及所述第二电极一起在邻接区域形成电场,随物体的接近引起所述电场的畸变。

2.根据权利要求1所述的利用电场效应的压力传感器,其特征在于,包括:

第二绝缘层,其介于所述第二电极及所述接地电极之间。

3.根据权利要求1所述的利用电场效应的压力传感器,其特征在于:

所述接地电极的最外廓具有凸出部,所述凸出部与所述隔膜的外廓部连接。

4.根据权利要求1所述的利用电场效应的压力传感器,其特征在于:

所述隔膜由硅或金属材质构成。

5.根据权利要求1所述的利用电场效应的压力传感器,其特征在于:

所述第一电极、所述第二电极及所述接地电极具有核心单元结构。

6.根据权利要求1所述的利用电场效应的压力传感器,其特征在于:

所述第一电极具有中心部及以所述中心部为基准向放射方向延伸的多个延伸部。

7.一种利用电场效应的压力传感器的制造方法,其包括:

形成具有向垂直方向延伸并定义核心区域的第一电极、配置成包围所述第一电极并与所述第一电极一起在邻接区域形成电场的第二电极、介于所述第一电极及所述第二电极之间的第一绝缘层以及与所述第二电极电绝缘并配置成围绕所述第二电极的接地电极的下部结构物的步骤;

形成具有配置成连接至所述接地电极且覆盖所述第一电极及所述第二电极,并与所述第一电极及所述第二电极一起在邻接区域形成电场,随物体的接近引起所述电场的畸变的隔膜的上部结构物的步骤;以及

结合所述下部结构物及所述下部结构物的步骤。

8.根据权利要求7所述的利用电场效应的压力传感器的制造方法,其特征在于,形成所述下部结构物的步骤包括:

在基板上形成外延层的步骤;

通过图案化所述外延层形成电极图案的步骤;以及

形成绝缘层以覆盖所述电极图案的步骤。

9.根据权利要求7所述的利用电场效应的压力传感器的制造方法,其特征在于,形成所述下部结构物的步骤包括:

在基板上形成光刻胶图案的步骤;

除了所述光刻胶图案之外,通过电镀工艺在所述基板的上表面暴露的暴露区域形成电极图案的步骤;

去除所述光刻胶图案的步骤;以及

形成绝缘层以覆盖所述电极图案的步骤。

10.根据权利要求7所述的利用电场效应的压力传感器的制造方法,其特征在于,形成所述下部结构物的步骤包括:

在基板上形成至少一个通孔的步骤;

在所述通孔内形成多晶硅膜的步骤;以及

图案化所述多晶硅膜的步骤。

11.根据权利要求7所述的利用电场效应的压力传感器的制造方法,其特征在于:

在结合所述下部结构物及所述下部结构物的步骤,执行阳极粘结工艺或接合粘结工艺。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于内传感器株式会社,未经内传感器株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980028923.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top