[发明专利]超导块、超导纳米晶体、超导器件及其方法在审
申请号: | 201980028962.9 | 申请日: | 2019-03-11 |
公开(公告)号: | CN112262330A | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
发明(设计)人: | A·潘迪;D·K·塔帕;S·K·萨哈 | 申请(专利权)人: | 印度科学研究院 |
主分类号: | G02B6/10 | 分类号: | G02B6/10;H01L21/00 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 黄晓升 |
地址: | 印度班*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 超导 纳米 晶体 器件 及其 方法 | ||
1.一种超导块(100),包括:
-一对核(101a、101b),其中,一对核(101a、101b)的材料在其常态下具有导电性;
-壳(102),其中,壳(102)的材料在其常态下具有导电性;并且
-一对核(101a、101b)以居间的质心距离(CD)嵌入在壳(102)中,其中嵌入的所述一对核(101a、101b)和壳(102)被构造成具有超导性。
2.根据权利要求1所述的超导块(100),其中,每个核(101a、101b)的直径优选在0.3纳米至2.7纳米的范围内。
3.根据权利要求1所述的超导块(100),其中,一对核(101a、101b)的材料与壳(102)的材料之间的伏特电势差的大小大于或等于0.4V。
4.根据权利要求1所述的超导块(100),其中,至少一对核(101a、101b)之间的居间质心距离(CD)优选在0.7nm至20nm的范围内。
5.根据权利要求1所述的超导块(100),其中,一对核(101a、101b)和壳(102)向超导态的转变优选在1mK至104K的范围内的温度下,并且优选在0至1011帕的施加压力范围下进行。
6.根据权利要求1所述的超导块(100),其中,所述材料选自碱金属、碱土金属、过渡金属、后过渡金属、准金属和镧系元素,优选为锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铯(Cs)、镁(Mg)、铍(Be)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)、金(Au)、铜(Cu)、镍(Ni)、钼(Mo)、锶(Sr)、银(Ag)、钴(Co)、铁(Fe)、铌(Nb)、锌(Zn)、钨(W)、铂(Pt)、钯(Pd)、钛(Ti)、铬(Cr)、钪(Sc)、锰(Mn)、钒(V)、锆(Zr)、铪(Hf)、镉(Cd)、铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)、锡(Sn)、铅(Pb)、钕(Nd)、碲(Te)、锑(Sb)、铋(Bi),或上述元素的合金和化合物。
7.根据权利要求1所述的超导块(100),其中,所述材料选自非元素导体,优选为金属的氧化物、掺杂的半导体、半金属,优选为碲化汞。
8.根据权利要求1所述的超导块(100),其中,壳(102)具有多层,并且一对核(101a、101b)具有单层;或,一对核(101a、101b)具有多层,并且壳(102)具有单层;或,壳(102)和一对核(101a、101b)均具有多层。
9.根据权利要求1所述的超导块(100),其中,多对核(101a、101b)嵌入壳(102)中,并且多对核(101a、101b)的材料是不同的或相同的。
10.根据权利要求1所述的超导块(100),其中,超导块(100)是纳米椭球体、纳米球、纳米线、纳米管、纳米立方体、纳米板、纳米片和纳米棒。
11.一种超导纳米晶体(200),包括:
-至少一个超导块(100),其中,超导块(100)包括
-一对核(101a、101b),一对核(101a、101b)的材料在其常态下具有导电性;
壳(102);并且
-一对核(101a、101b)以居间的质心距离(CD)嵌入在壳(102)中,其中嵌入的一对核(101a、101b)和壳(102)被构造成具有超导性。
12.根据权利要求11所述的超导纳米晶体(200),其中,至少超导构造块(100)的体积磁化率小于-0.001国际单位。
13.根据权利要求11所述的超导纳米晶体(200),其中,多个超导纳米晶体(200)设置在具有区域(204)的导电介质(203)中,并且多个超导纳米晶体(200)并不彼此集成在一起。
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