[发明专利]IR热电堆检测器阵列

权利要求书

1.一种红外(IR)检测器，包括：

衬底，包括至少一个蚀刻部分和衬底部分；

电介质层，被设置在所述衬底上，其中，所述电介质层包括至少一个电介质膜，并且其中，所述至少一个电介质膜与所述衬底的所述蚀刻部分相邻；

第一感测区域和第二感测区域，所述第一感测区域和所述第二感测区域中的每一者位于电介质膜中；以及

多个热电偶，其中至少一个热电偶包括第一和第二热接点，并且其中所述第一热接点位于所述第一感测区域中或所述第一感测区域上，并且所述第二热接点位于所述第二感测区域中或所述第二感测区域上。

2.如权利要求1所述的红外探测器，其特征在于，所述至少一个热电偶包括第一材料的第一臂和第二材料的第二臂，其中所述第一材料和所述第二材料是不同的材料。

3.如权利要求2所述的红外探测器，其特征在于，至少一个臂在所述第一感测区域和所述第二感测区域之间延伸。

4.如权利要求2所述的红外探测器，其特征在于，至少一个臂在所述第一感测区域和所述第二感测区域之间形成一个桥。

5.如前述任一权利要求所述的红外探测器，其特征在于，位于所述第一和第二感测区域中的所述至少一个热电偶提供一与在所述第一感测区域中感测的IR辐射和在所述第二感测区域中感测的IR辐射之间的差成比例的输出。

6.如权利要求2所述的红外探测器，其特征在于，所述至少一个臂包括连接所述至少一个臂的两个侧部的金属部分。

7.如前述任一权利要求所述的红外探测器，其特征在于，所述第一感测区域和所述第二感测区域中的每一者都位于单独的电介质膜中。

8.如权利要求7所述的红外探测器，其特征在于，还包括：

另一热电偶，具有位于所述电介质膜外部的热接点。

9.如前述任一权利要求所述的红外探测器，其特征在于，所述第一感测区域和所述第二感测区域中每一者都位于单个电介质膜中。

10.如权利要求9所述的红外探测器，其特征在于，还包括：

热桥，在所述单个电介质膜内的所述第一和第二感测区域之间。

11.如权利要求10所述的红外探测器，其特征在于，所述第一热接点和所述第二热接点热隔离；以及

其中所述第一热接点与所述衬底热隔离；以及

其中所述第二热接点与所述衬底热隔离。

12.如前述任一权利要求所述的红外探测器，其特征在于，所述第一热接点和所述第二热接点与所述衬底热隔离。

13.如前述任一权利要求所述的红外探测器，其特征在于，所述第一感测区域和第二感测区域具有不同的IR感测特性。

14.如前述任一权利要求所述的红外探测器，其特征在于，还包括：

红外感测层，在所述第一感测区域和所述第二感测区域中的一者的上方。

15.如权利要求14所述的红外探测器，其特征在于，所述红外感测层包括至少一个等离子体结构。

16.如前述任一权利要求所述的红外探测器，其特征在于，所述多个热电偶被连接以形成单个热电堆。

17.如权利要求16所述的红外探测器，其特征在于，所述热电堆的每一端都利用硅通孔(TSV)连接到电路。

18.如权利要求16所述的红外探测器，还包括：

金属连接，在所述多个热电偶之间。