[发明专利]用于制造包括超晶格的倒T形沟道场效应晶体管(ITFET)的器件和方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

基板；

在基板上并且包括超晶格的倒T形沟道，所述超晶格包括多个堆叠的层组，每个层组包括：限定基础半导体部分的多个堆叠的基础半导体单层，以及被限制在相邻基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层；

在倒T形沟道的相对端上的源极区域和漏极区域；以及

在源极区域和漏极区域之间覆盖倒T形沟道的栅极。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述基板包括绝缘体上半导体(SOI)基板。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中栅极包括覆盖超晶格沟道层的栅极绝缘体和覆盖栅极绝缘体的栅电极。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中基础半导体单层包括硅。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中每个基础半导体部分包括选自由IV族半导体、III-V族半导体和II-VI族半导体组成的组中的基础半导体。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述至少一个非半导体单层包括氧。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述至少一个非半导体单层包括选自由氧、氮、氟和碳-氧组成的组中的非半导体。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其中所有基础半导体部分是相同数量的单层厚度。

9.如权利要求1所述的半导体器件，其中基础半导体部分中的至少一些是不同数量的单层厚度。

10.一种半导体器件，包括：

绝缘体上半导体(SOI)基板；

在绝缘体上半导体基板上并且包括超晶格的倒T形沟道，所述超晶格包括多个堆叠的层组，每个层组包括限定基础半导体部分的多个堆叠的基础半导体单层，以及被限制在相邻基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层；

在倒T形沟道的相对端上的源极区域和漏极区域；以及

在源极区域和漏极区域之间覆盖倒T形沟道的栅极，并且所述栅极包括覆盖超晶格沟道层的栅极绝缘体和覆盖栅极绝缘体的栅电极。

11.如权利要求10所述的半导体器件，其中基础半导体单层包括硅。

12.如权利要求10所述的半导体器件，其中每个基础半导体部分包括选自由IV族半导体、III-V族半导体和II-VI族半导体组成的组中的基础半导体。

13.如权利要求10所述的半导体器件，其中所述至少一个非半导体单层包括氧。

14.如权利要求10所述的半导体器件，其中所述至少一个非半导体单层包括选自由氧、氮、氟和碳-氧组成的组中的非半导体。

15.如权利要求10所述的半导体器件，其中所有基础半导体部分是相同数量的单层厚度。

16.如权利要求10所述的半导体器件，其中基础半导体部分中的至少一些是不同数量的单层厚度。

17.一种制造半导体器件的方法，包括：

在基板上形成倒T形沟道，所述倒T形沟道包括超晶格，所述超晶格包括多个堆叠的层组，每个层组包括：限定基础半导体部分的多个堆叠的基础半导体单层，以及被限制在相邻基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层；

在倒T形沟道的相对端上形成源极区域和漏极区域；以及

在源极区域和漏极区域之间形成覆盖倒T形沟道的栅极。