[发明专利]用于CMOS传感器上的超声换能器的压力端口

权利要求书

1.一种超声装置，包括：

包括多个超声换能器的超声换能器阵列，所述多个超声换能器具有在基板和膜之间的相应密封腔，所述超声换能器阵列具有第一阵列区域；以及

进入孔阵列，所述进入孔阵列具有比所述第一阵列区域小的第二阵列区域，并且布置在所述第一阵列区域中或者在所述第一阵列区域的平面外突出中，所述进入孔阵列具有多个进入孔，所述多个进入孔延伸穿过所述膜，并且被配置成提供到所述相应密封腔中的至少一些密封腔的通路，其中所述多个进入孔中的第一进入孔包括平面内的部分和基本上垂直的部分。

2.根据权利要求1所述的超声装置，其中，所述基板与包括集成电路系统的集成电路基板接合。

3.根据权利要求1所述的超声装置，其中，所述基板包括集成电路系统。

4.根据权利要求1所述的超声装置，其中，所述第一进入孔在一个端部处被密封。

5.根据权利要求4所述的超声装置，其中，所述第一进入孔在所述一个端部处用金属被密封。

6.根据权利要求4所述的超声装置，其中，所述第一进入孔基本上没有固体材料。

7.根据权利要求4所述的超声装置，其中，所述第一进入孔包括空隙。

8.根据权利要求7所述的超声装置，其中，所述空隙填充有气体。

9.根据权利要求1所述的超声装置，其中，所述第一进入孔基本上垂直于所述相应密封腔中的密封腔的长轴突出。

10.根据权利要求1所述的超声装置，其中，所述第一进入孔包括转弯。

11.根据权利要求10所述的超声装置，其中，所述第一进入孔包括90度转弯。

12.根据权利要求1所述的超声装置，其中，所述第一进入孔包括弯曲部。

13.一种微机械超声换能器，包括：

密封腔阵列，所述密封腔阵列具有第一阵列区域；以及

压力端口阵列，所述压力端口阵列具有比所述第一阵列区域小的第二阵列区域，并且布置在所述第一阵列区域中或者在所述第一阵列区域的平面外突出中，所述压力端口阵列具有多个压力端口，所述多个压力端口被配置成控制所述密封腔阵列中的至少一些密封腔的压力，其中所述多个压力端口中的第一压力端口包括平面内的部分和基本上垂直的部分。

14.根据权利要求13所述的微机械超声换能器，其中，所述基本上垂直的部分比所述平面内的部分更薄。

15.根据权利要求13所述的微机械超声换能器，其中，所述第一压力端口是使所述密封腔阵列的两个密封腔互相连接的通道的一部分。

16.根据权利要求13所述的微机械超声换能器，其中，所述第一压力端口包括90度的弯曲部。

17.根据权利要求13所述的微机械超声换能器，其中，所述第一压力端口由金属密封。

18.根据权利要求13所述的微机械超声换能器，其中，所述微机械超声换能器包括电容式微机械超声换能器和压电式微机械超声换能器中的至少一个。

19.根据权利要求13所述的微机械超声换能器，其中，所述微机械超声换能器被设置在手持式超声探测器中。