[发明专利]对制造设备中的特性的降低干扰的实时感测在审
申请号: | 201980029808.3 | 申请日: | 2019-06-03 |
公开(公告)号: | CN112088303A | 公开(公告)日: | 2020-12-15 |
发明(设计)人: | 吴同 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | G01N21/88 | 分类号: | G01N21/88;H01L21/66;G01N21/95;G01N21/84;H01L21/67 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 陈炜;李德山 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 设备 中的 特性 降低 干扰 实时 | ||
1.一种用于在制造过程期间实时感测特性的装置,该装置包括:
传感器,该传感器被配置成安装在加工室内,该加工室的结构至少部分环绕并包围加工环境,其中,该传感器被分配给该加工室的特定区域,以监测该加工室的所分配的区域的物理或化学特性;
读取器系统,该读取器系统具有被配置成使用高频询问序列来以无线方式询问该传感器的部件,该高频询问序列包括:(1)向该传感器发送请求脉冲信号,该请求脉冲信号与指定频带相关联;以及(2)接收来自该传感器的唯一可识别的传感器响应信号,该传感器提供对该腔室的所分配的区域的物理或化学特性的变化的实时监测,
其中,该加工室的结构产生干扰响应信号,该干扰响应信号紧接在发送该请求脉冲信号之后被该读取器系统接收,并且
其中,该传感器被设计成将该传感器响应信号延迟一定延迟时间,该延迟时间超过来自该结构的干扰响应信号的持续时间。
2.如权利要求1所述的装置,其中,该制造系统包括半导体制造系统、或非半导体制造系统。
3.如权利要求1所述的装置,其中,该制造系统有助于半导体器件、光子器件、光发射器件、光吸收器件或光检测器件的制造。
4.如权利要求4所述的装置,其中,该制造系统有助于金属、半金属、非金属、聚合物、陶瓷、或玻璃或类玻璃工件的制造。
5.如权利要求1所述的装置,其中,该延迟时间超过0.5毫秒(msec)。
6.如权利要求1所述的装置,其中,该延迟时间超过1msec。
7.如权利要求1所述的装置,其中,该延迟时间在1msec至1.5msec范围内。
8.如权利要求1所述的装置,进一步包括:
工件,该工件待被布置在该制造系统的加工环境内,其中,该工件上安装有第一多个传感器。
9.如权利要求1所述的装置,进一步包括:
多个传感器,该多个传感器被分组并分配给多个唯一定义的频带,该多个传感器组包括被分配给该指定频带的该第一多个传感器。
10.如权利要求1所述的装置,其中,每个传感器都包括表面声波(SAW)延迟线器件,并且其中,该衬底包括LiNbO3、LiTaO3或La3Ga5SiO14。
11.如权利要求1所述的装置,其中,该物理或化学特性包括温度或温差。
12.如权利要求1所述的装置,其中,每个传感器包括用于激励并随后检测表面波的叉指换能器和用于衍射表面波并将表面波反射回该叉指换能器的一个或多个反射器组,并且其中,该一个或多个反射器组沿着波传播路径与该叉指换能器间隔预定的距离。
13.如权利要求12所述的装置,其中,该叉指换能器耦合到用于在每个传感器与该读取器系统之间接收和发送信号的至少一根天线。
14.如权利要求12所述的装置,其中,每个传感器的一个或多个反射器被布置成产生时域中的冲激响应信号,该冲激响应信号表现为一串两个或更多个不同回波冲激响应。
15.如权利要求12所述的装置,其中,该一个或多个反射器组位于该叉指换能器的同一侧。
16.如权利要求1所述的装置,其中,该第一频带的频谱范围小于100MHz。
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